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Precise Instrument 普赛斯仪表
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Precise Instrument 普赛斯仪表
武汉普赛斯仪表有限公司 是武汉普赛斯电子股份有限公司的全资子公司,公司以源表为核心产品,专注于半导体电性能测试设备的开发、生产与销售,提供精准高效的第三代半导体材料、晶圆、器件测试的整体解决方案及服务。聚焦第三代半导体领域高端测试设备的国产化,武汉普赛斯仪表坚持自主创新研发,积极打造对标进口、国内领先的实验与测试平台。掌握多项电性能测试核心专利技术,构建了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、脉冲恒压源、集成插卡式源表、高精度的超大电流源、高精度脉冲大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等系列产品,电流覆盖pA至kA,电压覆盖μV至kV。基于自主核心仪表产品,我司创新打造了半导体参数分析仪、功率器件静态参数测试系统、大功率激光器老化测试系统、miniLED测试系统、电流传感器测试系统等测试平台,以高效率、高精度、低成本为核心,实现市场应用的集成创新。公司已建成覆盖全国的营销服务网络,并积极布局海外市场。凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,成为为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。产品被国内外知名高校、科研院所以及半导体企业广泛应用,并与多家半导体测试机厂家建立长期稳定的合作关系。未来,公司将始终以“提供供应链可控的高性能、低成本的有特色的测试仪器仪表和测试系统”为价值导向,坚持创新驱动,持续赋能全球半导体产业智能化测试升级。主要产品台式仪表S系列高精度台式源表,SXXB系列高精度台式源表,P系列高精度台式脉冲源表,PX00B系列高精度台式脉冲源表,PL系列窄脉冲LIV测试系统HCP系列大电流台式脉冲源表,HCPL100高电流脉冲电源,HCPL系列大功率激光器测试电源,E系列高电压源测单元插卡式仪表CS系列插卡式数字源表,A400数据采集卡,CP系列脉冲恒压源测试系统SPA6100半导体参数分析仪,PMST功率器件静态参数测试系统,半导体功率器件C-V特性测试系统,LDBI多路大功率激光器老化系统,CTMS电流传感器测试系统激光半导体测试解决方案功率半导体,分立器件,集成电路,材料研究,传感器,微电子教学研发团队4位教授级专家/博士研发人员总数占比60%以上研发人员30%为硕士核心技术竞争力模拟电路设计fA级电流输出与测量,6kA电流输出与测量,10kV高压输出与测量仿真设计板级分布参数提取,热性能仿真,高速信号完整性算法设计ms级指令响应,丰富的自定义扩展,高效低噪声数字电源测试验证精度、温漂等验证平台,丰富的功率器件测试经验,完善的测试设备发展历程2009年武汉普赛斯电子股份有限公司成立2010-2014年国家高新技术企业 误码仪、光功率计、光衰等产品问市2015年成立数十人的源表研发团队2015-2018年激光半导体行业: 光模块测试、OSA/ROSA/BOSA测试、TO测试等设备问市功率半导体行业: 源表一代产品应用于国际知名通信企业2019年武汉普赛斯仪表有限公司成立2019-2020年激光半导体行业:激光器耦合测试仪、LIV综合测试仪、采样示波器市场份额领先功率半导体行业: 国产化数字源表率先产业化:S系列、P系列、 PL窄脉冲测试系统2021-2024年国家级专精特新“小巨人”企业湖北省上市“金种子”企业高新技术企业激光半导体行业: 激光雷达TO老化、VCSEL晶圆等测试系统 功率半导体行业: 聚焦三代半,更高精度、更大电流、更大电压,产品矩阵全覆盖企业文化企业愿景成为化合物半导体光电测试仪器仪表龙头企业 企业使命让半导体企业的制造与测试更高效 核心价值观完美 求精 服务 创新
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武汉普赛斯仪表 CTMS 半导体测试设备
霍尔电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A
武汉普赛斯仪表 PMST1000 半导体测试设备
1000A功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA
武汉普赛斯仪表 A400 半导体测试设备
A400型数据采集卡,是一款普赛斯自主设计开发的插卡式,支持可变速率采样和大容量数据存储的高精度数据采集卡。 采集卡使用高性能ADC芯片,分辨率可达16bits,最高支持2MS/s采样率
武汉普赛斯仪表 PMST4000 半导体测试设备
大功率IGBT静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA
普赛斯仪表 CTMS型 半导体测试设备
霍尔电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A
武汉普赛斯仪表 PMST-1000A 半导体测试设备
普赛斯1000A车规IGBT静态参数测试仪集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA
武汉普赛斯仪表 LDBIxx系列 半导体测试设备
普赛斯半导体激光器参数测试设备采用全新开发、自主设计的大电流脉冲恒流源,可以完美兼容CW模式以及QCW模式,支持直流恒流、直流扫描、脉冲直流、脉冲扫描等四种模式。该系统包括高温环境控制装置、直流或脉冲驱动电源、收光装置、光纤、光谱仪(选配)、循环水冷系统、定制夹具、温度采集器及上位机等。实现上位机程序进行自动测试,
武汉普赛斯仪表 PSMT-4000A 半导体测试设备
普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。
武汉普赛斯仪表 传感器测试平台CTMS1000A 半导体测试设备
电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数,具有大电流特性、极快的达到300A/us级上升沿、可测量KHz级带宽等特点;传感器测试平台CTMS1000A认准普赛斯仪表
武汉普赛斯仪表 PMST-6000A 半导体测试设备
为应对各行各业对IGBT的测试需求,武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的IGBT静态参数测试系统,可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求
武汉普赛斯仪表 CTMS-1000 半导体测试设备
普赛斯CTMS电流传感器测试系统,可用于精准测 量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔 森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高 达1000A。测试参数包括:直流参数如温度漂移、零点 误差、线性度等,和交流参数如响应时间、带宽、噪声频谱等。电流传感器didt测试设备传感器测试系统认准普赛斯仪表
武汉普赛斯仪表 1000A 半导体测试设备
武汉普赛斯仪表 SPA6100 半导体测试设备
SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。
武汉普赛斯仪表 武汉普赛斯 半导体测试设备
普赛斯功率半导体器件CV测试系统CV测试仪主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
武汉普赛斯仪表 武汉普赛斯仪表 半导体测试设备
普赛斯功率mos管CV测试仪主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
武汉普赛斯仪表 SPA-6100 半导体测试设备
SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
武汉普赛斯仪表 普赛斯仪表 半导体测试设备
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。半导体参数CV测试仪认准普赛斯仪表
武汉普赛斯仪表 CTMS1000A 半导体测试设备
武汉普赛斯仪表 PMST系列 半导体测试设备
普赛斯半导体分立器件静态测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
武汉普赛斯仪表 SPA-6100型 半导体测试设备
SPA-6100半导体参数测试系统CV+IV曲线扫描仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
武汉普赛斯仪表 PMST-8000V 半导体测试设备
武汉普赛斯仪表 PMST8000V 半导体测试设备
普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
武汉普赛斯仪表 普赛斯CTMS-1000A 半导体测试设备
武汉普赛斯仪表 PMST-8000V/6000A 半导体测试设备
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对功率半导体行业测试设备-高电压大电流感兴趣,欢迎随时联系我们!
武汉普赛斯仪表 高电压PMST-8000V 半导体测试设备
普赛斯高电压大电流-功率器件测试机,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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