武汉普赛斯仪表 PMST-8000V 半导体测试设备

晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，是一种半导体器件，放大器或电控开关常用；包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能；晶体管是规范操作电脑、手机、所有其他现代电子电路的基本构建块。

晶体管特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常晶体管特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。

晶体管iv图示仪分立器件静态测试系统认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验必备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,半导体测试领域的经典产品!

普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

   普赛斯功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

晶体管iv图示仪分立器件静态测试系统“双高”系统优势

   高电压、大电流

   具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV)

   具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

   高精度测量

   nA级漏电流,  μΩ级导通电阻

   0.1%精度测量

   模块化配置

   可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

   测试效率高

   内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

   支持国标全指标的一键测试

   扩展性好

   支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等