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SiC GaN三代半功率器件测试挑战及应对测试方案
SiC功率半导体因优势成行业热点，但面临复杂应力挑战。性能表征测试分静态和动态，要求高。普赛斯提供一站式高精密测试解决方案，满足行业高精度、大范围测试需求，具有模块化设计，易用且可扩展。
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SMU数字源表与探针台连接示意图及注意事项有哪些
数字源表SMU与探针台组合用于半导体测试，连接需考虑线缆类型和探针选择。测试时需注意探针台接地、连接线接地、关闭光源，小电流测试加屏蔽罩，异面电极材料连接需注意Chuck盘平整度。
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基于数字源表的霍尔效应测试系统
霍尔效应是一种电磁感应现象，当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，如下图所示。霍尔效应测试中我们一般测试霍尔电压VH、电阻率ρ、霍尔系数RH、载流子浓度n、霍尔迁移率μH等参数。
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数字源表四探针法测电阻率
武汉普赛斯仪表自主研发的高精度源表（SMU），可以在输出电流时测试电压，也可以在输出电压时测试电流。输出电流范围从皮安级到安培级可控，测量电压分辨率高达微伏级。支持四线开尔文模式，适用于四探针测试，可以简化测试连接，得到准确的测试结果。
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数字源表测试气敏电阻三方案详解
气体传感器 I-V 特性测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间，实施I-V特性分析的Z佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作
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钙钛矿电池IV电性能测试方案单通道/多通道详解
武汉普赛斯推出的精密型数字源表（SMU）是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的最佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围，可以为科研及生产制造提供卓越的测量性能。结合太阳光模拟器以及专用的上位机软件，支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、最大功率、填充因子、转换效率等参数的测量，能极大简化太阳能电池I-V测试效率，可以比以前更精确、更轻松的表征器件。
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功率半导体面对测试挑战及应对方案
随着半导体制程工艺不断提升，测试和验证也变得更加重要。通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。静态参数特性主要是表征器件本征特性指标，与工作条件无关的相关参数，如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压、漏电流、阈值电压、跨导、压降、导通内阻)等。
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如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线？
静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又叫稳态或者DC（直流）状态测试，施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括：栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容),以及以上参数的相关特性曲线的测试。功率器件静态测试系统具有更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力。