3D NAND即三维闪存技术。过去的存储芯片是平面的，我们可以把它想象为一个“地面停车场”。三维闪存芯片是立体的，更像是“立体停车场”。这意味着，同样的“占地面积”，立体芯片能够容纳的数据量更多，可以达到惊人的1.33Tb。
日前，长江存储科技有限责任公司宣布，最新128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这也是全球首款128层QLC闪存。目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。
3D NAND即三维闪存技术。“过去的存储芯片是平面的，我们可以把它想象为一个‘地面停车场’。三维闪存芯片是立体的，更像是‘立体停车场’。这意味着，同样的‘占地面积’，立体芯片能够容纳的数据量更多。”专家表示。
尽管这颗存储芯片只有芝麻粒大小，却内藏乾坤。它拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后三维闪存新的技术形态，具有大容量、高密度等特点。TLC的每个“存储细胞”可存储3bit数据，QLC的每个“细胞”能存储4bit数据。这些“存储细胞”加起来，能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33TB，相当于1362GB。
得益于“存储细胞”不断扩容以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局，此次发布的128层闪存芯片“X2-6070”拥有业界最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量。
2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月份，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0，进一步释放了三维闪存的潜能，128层QLC闪存芯片才得以快速突破。
“从64层量产至128层研发成功，仅相隔了7个月，即便发生了疫情也没有阻挡我们的研发脚步。”长江存储首席执行官杨士宁表示，作为闪存行业的“新进入者”，长江存储用短短3年便将中国的三维存储芯片推向了128层的新高度。“这是数千名研发人员智慧的结晶，也是全产业链上下游通力协作的成果。”
闪存和固态硬盘领域市场研究公司认为，QLC技术降低了NAND闪存单位字节的成本，更适合作为大容量存储介质。128层QLC闪存将率先在大容量U盘、闪存卡和固态硬盘中普及，广泛用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。