【国产替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169

2025-03-06
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摘要 【国产替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169


【国产替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169


1、 DMZ42C10S产品简述

DMZ42C10S是ARK(方舟微)研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品,该产品性能优异,可靠性高,且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169,DMZ42C10S具有更低的导通电阻,以及更大的电流能力,可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。

2、DMZ42C10S与BSS169对比

1) 封装形式对比

       

图1. DMZ42C10S封装类型及电极脚位              图2. BSS169封装类型及电极脚位

DMZ42C10S和BSS169均为SOT-23封装,且D、G、S电极分布完全一致。

2) 主要静态参数定义范围对比

ItemBVDSVGS(OFF)ID(OFF)IGSSRDS(on)RDS(on)IDSS(Min)
Test conditionVGS=-10V,ID=250uAVDS=3V,ID=50uAVDS=100V,VGS=-10VVGS=20V,VDS=0VVGS=0V,ID=50mAVGS=10V,ID=190mAVGS=0V,VDS=10V
DMX42C10S>100V-2.9V~-1.8V<0.1uA<10nA<6ΩType: 1.2Ω>90mA
BSS169>100V-2.9V~-1.8V<0.1uA<10nA<12ΩType: 2.9Ω>90mA

*上述数据来源于两款产品的数据手册。

DMX42C10S各项参数的定义范围与BSS169基本一致。

3) 样品参数实测对比

ItemIGSSRIGSSID(OFF)BVDSSVGS(Off)RDS(ON)IDSS
Test conditionVGS=-20VVGS=20VVDS=100VIDS=250uAID=50uAIDS=50mAVDS=10V
VDS=0VVDS=0VVSG=10VVSG=10VVDS=3VVG=0VVGS=0V
DMZ42C10S0.208nA0.203nA0.002uA114.6V-2.4V1.78Ω530.6mA
BSS1690.375nA0.438nA0.002uA149.8V-2.1V5.93Ω217.3mA

DMZ42C10S具体更低的导通电阻和更大的电流能力,BSS169的实际耐压高于DMZ42C10S(注:ARK(方舟微)已经开发出了实际击穿电压与BSS169相近的升级款产品,后续即将推出)。

3、耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点说明

耗尽型MOSFET在绝大多数应用中,都是工作在亚阈值状态下(即栅-源电压VGS满足:VGS(OFF)<VGS<0V),此时耗尽型MOSFET的参数具有如下特点:

a. 导通电阻RDS(ON):亚阈状态下导通电阻是变化的,且会明显超过VGS=0V时的电阻值(规格书中给出的电阻参数);但是当MOSFET工作在直通状态时,导通电阻越小,则会带来更低的电压降,且相应具有更大的电流能力。

b. 阈值电压VGS(OFF):只需要满足电路驱动电源要求以及电路参数要求即可,如搭配运放使用时,只要符合运放的驱动输出范围即可;如搭配电阻实现限流的应用,通过调节限流电阻的阻值,也可以使用不同阻值的电阻达到相近的限流需求。因此,不一定需要完全一样的阈值电压参数才能实现对标替代;

c. 电流参数:一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流大小(相对综合的参数)是否能满足电流的电流需求,饱和电流越大,则越能适配大电流下的应用。

因此,对于耗尽型MOSFET的替代选型,通常“参数是否一模一样”并不是对标选型的固定标准。

4、DMZ42C10S的典型应用方案介绍

a. 给DAC芯片/传感器调理芯片供电并提供过压保护

DMZ42C10S适合用于传感器、智能变送器中,给DAC芯片、传感器调理芯片供电,并为负载电路提供浪涌防护,典型应用电路如下:


图3. DMZ42C10S给AD421供电及提供过压保护的典型电路方案

b. 恒流/限流应用

DMZ42C10S适合用于构建简易恒流源,以及用于构建限流单元实现过流保护,典型应用方案如下:


图3.DMZ42C10S用于构建恒流及限流保护单元的典型方案


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