近日，上海新阳披露定增预案，公司拟向特定对象发行股票募集资金不超过15亿元，其中7.32亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，3.48亿元用于集成电路关键工艺材料项目，4.20亿元用于补充公司流动资金。
预案显示，本次向特定对象发行募集资金拟将有7.3亿元投资于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，主要目标为实现ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3DNAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶的产业化，力争于2023年前实现上述产品的产业化，打破国外垄断，填补国内空白，达到国际先进技术水平。
高端光刻胶是集成电路制造最为关键的基础材料之一，但目前高端光刻胶几乎全部依赖进口。以ArF光刻胶、KrF厚膜光刻胶为代表的高端光刻胶以及工艺的主要技术和专利目前都掌握在国外的企业与研究部门，如日本的信越化学(Shin-EtsuChemical)、合成橡胶(JSR)、东京应化(TOK)、住友化学，这些企业几乎占据了国内外高端光刻胶市场全部份额。
据披露，上海新阳此次定增对象为不超过35名特定对象，股票发行数量不超过8719.47万股，发行价格不低于定价基准日前20个交易日公司股票均价的80%。
该项目投资总额预计9.33亿元，主要用于设备购置及维护、人员支出、测试化验加工费等。若项目按计划进度进行，预计KrF厚膜光刻胶2021年开始实现少量销售，2022年可实现量产，预计ArF（干式）光刻胶项目在2022年可实现少量销售，2023年开始量产，预计当年各项产品销售收入合计可达近2亿元。经公司测算，项目预计内部收益率（所得税后）为26.14%，投资回收期（所得税后）为7.47年，项目净现值为7.23亿元（假设必要收益率为12%）。
上海新阳表示，预计光刻胶项目研发及产业化成功后，公司将掌握包括光刻胶主要原料纯化工艺、产品配方、生产工艺和应用工艺技术在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术，可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货，并预计将取得20个以上发明专利。
上海新阳阐述，自2003年起，半导体产业进入了ArF（193nm）光刻时代，先进制造工艺使用量最高的半导体光刻胶也是ArF光刻胶。目前，国内90-14nm半导体制程的高端半导体芯片制造所用的ArF光刻胶100%需要进口，其中超过90%为日本制造，ArF高端光刻胶产品在国内一直是空白。光刻胶产品有着很高的技术壁垒，到目前为止，欧美及日本等国家仍对中国禁止输入ArF光刻胶技术。
据介绍，若该项目成功实施，对我国半导体材料行业来说打破了国外垄断，实现了又一关键材料的自主化。
经过长期投入，目前部分核心技术已取得突破，ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶均已形成实验室成果，样品关键参数指标已达到竞品水平，产品已经过数千次试验，得到令人满意的试验结果，目前实验室研发阶段已完成，正在进行中试及后续验证推进。
本次募资另一个投向是集成电路关键工艺材料项目。该项目通过新建厂房、引进国内外先进的自动化生产设备和高端技术人才，提升公司半导体相关超纯化学材料产品生产制造能力。通过实施本项目，公司将为芯片铜互联超高纯硫酸铜电镀液系列、芯片刻蚀超纯清洗液系列等产品合计新增年产能17,000吨，公司整体竞争力将进一步增强。