类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1 MP CO-PROCESSOR |
封装 / 箱体:VFBGA-81 |
封装:Tray |
系列:AP0101CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:3840 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1 MP CO-PROCESSOR |
封装 / 箱体:VFBGA-100 |
封装:Tray |
系列:AP0100CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:2600 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H x 1208V |
每秒帧数:40 |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:3072H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:1.1µm x 1.1µm |
有源像素阵列:4208H x 3120V |
每秒帧数:30 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:4.7µm x 4.7µm |
有源像素阵列:4000H x 3000V |
每秒帧数:70 |
电压 - 供电:1.8V,2V |
封装/外壳:237-XFCPGA |
供应商器件封装:237-MicroCPGA(42.5x38.1) |
工作温度:-50°C ~ 80°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:2µm x 2µm |
每秒帧数:120 |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-mPLCC(10.16x10.16) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
每秒帧数:60 |
工作温度:-40°C ~ 110°C |
类型:CMOS |
像素大小:6µm x 6µm |
有源像素阵列:752H x 480V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:3V ~ 3.6V |
封装/外壳:48-CLCC |
供应商器件封装:48-CLCC(11.43x11.43) |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:5.6µm x 5.6µm |
有源像素阵列:728H x 560V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.8V ~ 2.8V |
封装/外壳:63-LFBGA |
供应商器件封装:63-IBGA(7.5x7.5) |
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:2.2µm x 2.2µm |
有源像素阵列:2592H x 1944V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.8V,2.8V |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:带处理器的 CMOS |
像素大小:4.8µm x 4.8µm |
有源像素阵列:1280H x 1024V |
每秒帧数:43 |
电压 - 供电:1.8V ~ 3.3V |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-LCC(14.22x14.22) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:8µm x 8µm |
有源像素阵列:3048H x 4560V |
每秒帧数:3 |
电压 - 供电:3.3V |
封装/外壳:49-PGA |
供应商器件封装:49-PGA |
工作温度:0°C ~ 50°C(TA) |
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