RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_F2.8_FOV120_SGA FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90_F2.7_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_FOV120_F2.8_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV120_F4.0_1m_NP FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_80umAperture FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_CHIP_RGB_SGA CON |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_F2.7_FOV90_SGA FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV160_F2.4_SGA FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_FOV90_F2.7_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05mRCSPF FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE_6.0_Pattern_Awaiba_12_350um RB FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE_4.0_Pattern_Awaiba_12_350um RB FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE_6.0_Pattern_Awaiba_18_350um RB FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90F6.0_NB_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90_F6.0 CloserF FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
类型:CMOS |
像素大小:5.5µm x 5.5µm |
有源像素阵列:2048H x 2048V |
每秒帧数:180 |
电压 - 供电:1.8 ~ 3.3V |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
颜色:RGB |
分辨率:250 x 250 |
每秒帧数:62 |
接口:LVDS |
像素大小:3µm x 3µm |
封装/外壳:模块 |
类型:CMOS |
像素大小:3.1µm x 3.1µm |
有源像素阵列:10000H x 7096V |
每秒帧数:3 |
电压 - 供电:3.3V |
封装/外壳:65-CBPGA |
供应商器件封装:65-CPGA |
工作温度:0°C ~ 60°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:4.6µm x 4.6µm |
有源像素阵列:7920H x 6004V |
每秒帧数:30 |
电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V |
封装/外壳:141-BCPGA |
供应商器件封装:141-PGA(52.5x40) |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:250H x 250V |
每秒帧数:55 |
电压 - 供电:1.8V ~ 2.4V |
封装/外壳:模块 |
工作温度:0°C ~ 60°C |
类型:CMOS |
像素大小:5.5µm x 5.5µm |
有源像素阵列:2048H x 1088V |
每秒帧数:340 |
电压 - 供电:1.8V,3.3V |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:1080H x 960V |
每秒帧数:240 |
像素大小:4.2µm x 4.2µm |
有源像素阵列:1280H x 1080V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:3.14V ~ 3.47V |
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:5.5µm x 5.5µm |
有源像素阵列:2048H x 1088V |
每秒帧数:340 |
电压 - 供电:1.8V,3.3V |
供应商器件封装:95-MicroPGA |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:5.5µm x 5.5µm |
有源像素阵列:4096H x 3072V |
每秒帧数:300 |
电压 - 供电:1.8V,3.3V |
供应商器件封装:237-MicroPGA |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
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