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  • Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

    SVT035R5NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

    SVG105R4NT(S)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

    SVG10170ND(T)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

    SVG105R0NL5   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

    SVT03380PSA   P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

    SVG10111ND  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

    SVG10111NA6  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

    SVG15670NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • 兴感半导体 SC813 电流传感器

    兴感半导体 SC813 电流传感器
  • 兴感半导体 SC820 电流传感器

    兴感半导体 SC820 电流传感器
  • 普瑞姆赛斯 PSI60A-N5板载电流传感器 其它集成电路

    PSI60A-N5板载电流传感器 准确度0.01%、0.05% 因其特殊的产品特性: 具有高精确度、高线性度、高集成度、体积小结构简单、长期工作稳定、原副边之间高度绝缘且适应各种工作环境的特点。 广泛应用于光伏、风电、变频器、电源等电流检测系统中。
  • 芯进电子 CC6920 电流传感器

    精度高、温漂小、阶跃响应时间快、抗冲击电流强。
  • 芯进电子 CC6921 电流传感器

    精度高、温漂小、阶跃响应时间快、抗冲击电流强;
  • 兴感半导体 SC824/5 电流传感器

    兴感半导体 SC824/5 电流传感器
  • 兴感半导体 SC844/5 电流传感器

    兴感半导体 SC844/5 电流传感器
  • 兴感半导体 SC8450/60 电流传感器

    兴感半导体 SC8450/60 电流传感器
  • 兴感半导体 SC7804/34 电流传感器

    兴感半导体 SC7804/34 电流传感器
  • 兴感半导体 SC2640 电流传感器

    兴感半导体 SC2640 电流传感器
  • 睿感 RG-SIS1000G 电流传感器

    高精度电流传感器,采用激励磁通闭环控制技术、自激磁通门技术及多闭环控制技术相结合,实现了对激励磁通、直流磁通、交流磁通的零磁通闭环控制,并通过构建高频纹波感应通道实现了对高频纹波的检测,从而使传感器在全带宽范围内拥有比较高的增益和测量精度。