MPW流片
上海工研院(SITRI) 联合中国科学院上海微系统所、中国科学院半导体研究所、上海交通大学等国内硅基光电子领域知名研究机构，建立硅基光电子器件工艺平台，拥有近5000平米洁净室，具备90nm高精度光刻、晶体外延、介质薄膜生长、干法及湿法刻蚀、掺杂、金属互连和在线工艺检测等成套关键工艺能力，可以通过MPW、定制化流片、联合研发等多种方式为各类高校、科研院所和企业提供服务，满足客户研发、中试、封装等多样化需求。
经过多年沉淀积累，上海工研院硅光平台的服务能力持续稳定提升，日趋成熟，获得了行业的高度认可。2023年，90纳米硅基光电子技术入选《2023年上海市科技进步报告》，并在2024年入选中国光学工程学会“硅基光电子三年优秀成果展”。随着强烈的市场需求，为确保每一位合作伙伴都能及时把握住研发创新的先机，我们正积极调配资源，优化流程，确保在2025年为客户提供更加紧凑、高效的流片周期。
在此，我们诚挚邀请各界同仁，无论是致力于前沿探索的学术团队，还是追求技术创新的企业伙伴，尽早规划，把握时机，加入我们的流片计划。2025年，让我们携手并进，在硅基光电子的广阔天地中，共同书写属于未来的辉煌篇章！
安排
硅光MPW流片安排
* 表中时间为客户首次提交自查DRC free的版图时间。
* 单个Block尺寸3mm × 10mm，交付25个芯片。
工艺
硅光MPW流片工艺
上海工研院共提供5套硅光工艺，包括90nm SOI无源工艺、180nm SiN无源工艺、SiN on SOI无源工艺、90nm SOI有源工艺和SiN on SOI有源工艺。具体工艺能力如下：
01
90nm SOI无源工艺
目前，SOI无源集成工艺流片的最小工艺节点为90nm，具备三步硅刻蚀、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能的硅光无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
02
180nm SiN无源工艺
SiN集成工艺流片具备LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
03
SiN on SOI无源工艺
SiN on SOI无源集成工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具备了三步硅刻蚀、LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连以及深硅刻蚀等关键工艺能力。该工艺结合了氮化硅和SOI平台的优点，能够实现高性能的硅光子和氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
04
90nm SOI有源工艺
目前，90nm SOI有源工艺流片的最小工艺节点为90nm，具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能的硅光无源、有源器件。
基本工艺能力如下表所示：
05
SiN on SOI有源工艺
SiN on SOI有源工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、LPCVD氮化硅、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力。该工艺结合了氮化硅和SOI平台的优点，可实现各种高性能的硅光无源、有源器件和氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
服务流程
如有流片需求，请邮件联系商务潘经理获取PDK，欢迎垂询！
邮箱：Hongming.Pan@sitri.com
电话：13916643350
关于上海工研院
上海微技术工业研究院（简称“上海工研院”，SITRI）成立于2013年，由上海市科委、嘉定区政府和新微集团发起共建，依托新微集团“三位一体”协同创新体系，打造集科学研究、技术开发、成果转化、产业孵化和人才培养于一体的研发与转化功能型平台。通过“超越摩尔”集成电路领域全流程中试和关键共性技术研发，为合作伙伴与创新团队提供全面技术支持和产业孵化服务。
上海工研院是国务院国资委“科改行动”标杆企业、国家知识产权优势企业、上海市“专精特新”企业，连续两年入选上海市硬核科技企业TOP100，已累计申请专利近千件，培育孵化公司20余家，总估值超过120亿元。
上海工研院立足上海、面向长三角、辐射全国，构建科学研究+技术攻关+产业孵化+资本赋能+人才高地全过程创新和高质量孵化生态链，建设科技创新和产业创新深度融合发展的“超越摩尔”功能型平台和产业生态，推动“超越摩尔”领域新质生产力跃升。
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