3月21日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，公司与浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究所、硅先进半导体材料国家重点实验室合作。
采用自主创造的铸造方法，成功制备了高质量的6英寸非故意混合和导电氧化镓单晶，并加工了6英寸氧化镓衬底片。
6英寸导电型氧化镓衬底
杭州镓仁半导体也成为中国第一家掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的工业化公司。
氧化镓因其优异的性能和低成本的制造而成为最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代半导体材料。
该材料主要用于制备电力设备、射频设备和探测设备，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域具有广阔的应用前景。
6英寸非故意掺杂(上)和导电型(下)氧化镓单晶
该公司表示，6英寸氧化镓衬底的铸造方法具有以下显著优势：
一是铸造方法成本低，由于贵金属Ir的用量和损耗与其它方法相比明显降低，成本明显降低；
二是铸造方法简单可控，工艺流程短，效率高，尺寸容易放大；
第三，铸造法拥有完全独立的知识产权，中美专利已经授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定了坚实的基础。
目前，日本NCT在氧化镓衬底方面仍处于领先地位，但中国普遍呈现追赶趋势。
