产品类型: 霍尔效应数字式位置传感器集成电路 |
电源电压:3.4 Vdc 至 24 Vdc |
工作频率:最小 0 Hz 至最大 10000 Hz |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:典型值 -130 G (25°C) |
操作点:典型值 130 G |
存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F] |
供电电流:关:最大 12 mA,开:最大 14 mA |
输出类型:灌电流 |
系列名称:VF526DT |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
输出电流:每输出最大 5 mA |
励磁器类型:闭锁 |
差压:典型值 260 G |
封装类型:SOT-89B、卷带和卷盘,1000 件/盘 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
供电电流:高:14 mA 典型值,低:7 mA 典型值 |
输出类型:电流源 |
系列名称:VF401 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 速度、方向或位置传感器集成电路 |
电源电压:4.5 Vdc 至 16 Vdc |
励磁器类型:差动电桥 |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
封装类型:扁平 TO-92 式,500 件/包 |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
查看更多