产品类型:磁阻数字式位置传感器 |
电源电压:3.8 Vdc 至 30 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 0.5 mT [5 G] |
存储温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
输出类型:电流沉 |
供电电流:11 mA(25°C 时的最大) |
密封:NEMA 3、3R、3S、4、4X、12、13 |
系列名称:SR4P3 |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
探头长度:25.4 mm [1 英寸] |
漏电流:10 µA |
输出电流:最大值 20 mA |
励磁器类型:全向极性 |
差压:最大 0.7 mT [7 G] |
封装类型:塑料圆柱 |
端子类型:1 m [39.4 英寸] 电缆;2 m [79 英寸] 电缆;615.7 mm [24.24 英寸] 电缆/连接器;609.6 mm [24 英寸] 电缆/连接器;152.4 mm [6 英寸] 绞合引线 |
输出电压:最大 0.4 Vdc(工作) |
操作点 (OP):最大 2.5 mT [25 G] |
产品类型:霍尔效应数字式位置传感器 |
电源电压:6.0 Vdc 至 24.0 Vdc;4.5 Vdc 至 24.0 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs;最大 1.0 µs;最大 0.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 -15 mT [-150 G];最小 17 mT [170 G];最小 6 mT [60 G] |
存储温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
密封:NEMA 3、3R、3S、4、4X、12、13 |
输出类型:电流沉 |
供电电流:19 mA(25°C 时的最大值);18 mA(25°C 时的最大值);15 mA(25°C 时的最大值) |
系列名称:SR3 |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
探头长度:25.4 mm [1 英寸] |
漏电流:20 µA;10 µA |
励磁器类型:单极;双极 |
输出电流:最大值 20 mA |
差压:最小 4 mT [40 G];最小 2 mT [20 G];最小 1 mT [10 G] |
封装类型:塑料圆柱 |
端子类型:123.4 mm [4.86 英寸],绞合引线;285.8 mm [11.25 英寸],绞合引线;152.4 mm [6 英寸] 绞合引线 |
输出电压:最大 0.4 Vdc(工作) |
操作点 (OP):最大 19 mT [190 G];最大 45 mT [450 G];最大 15 mT [150 G] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 速度传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度、方向或位置传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度和方向传感器集成电路 |
电源电压:4 Vdc 至 24 Vdc;4 Vdc 至 24 Vdc(-40°C 至 110°C),4.0 V 至 9 V (150°C) |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 8 µs;最大 1.5 µs |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
供电电流:最大值 20 mA;高:14 mA 典型值,低:6.95 mA 典型值 |
输出类型:二针 PWM 电流;四针正交、集电极开路;二针电流 |
系列名称:VM |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:AMR 桥式阵列 |
输出电流:最大值 20 mA |
封装类型:2 针 SIP、500 件/包;4 针 SIP、500 件/包 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
供电电流:高:14 mA 典型值,低:7 mA 典型值 |
输出类型:电流源 |
系列名称:VF401 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 速度、方向或位置传感器集成电路 |
电源电压:4.5 Vdc 至 16 Vdc |
励磁器类型:差动电桥 |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
封装类型:扁平 TO-92 式,500 件/包 |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
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