Silan 士兰微
成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业之一士兰微始于1997杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6万片。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开工建设。2020年,士兰化合物半导体生产线正式投产,士兰12英寸芯片生产线开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。公司目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:基于士兰芯片生产线高压、高功率、特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及(各类MCU/专用IC组成的)功率半导体方案MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品、通用ASIC电路光电产品及LED芯片制造和封装(含内外彩屏和LED照明)主要产品分立器件成品,IPM智能功率模块,IGBT及其他功率模块,AC-DC电路,快充电路,DC-DC电路,LED照明驱动电路,栅极驱动集成电路,MEMS传感器电路,MCU电路,数字音视频电路,专用ASIC电路,逻辑及开关电路,LED芯片士兰微荣获多项荣誉士兰微电子注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站,拥有集成电路芯片设计研发人员近400人,芯片工艺、封装技术、测试技术研发队伍等超过2000人,研发队伍中拥有博士、硕士超过400人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委高技术产业化、杭州市重大科技创新专项等项目。公司连续多年入围“中国十大集成电路设计企业”、“中国软件业务收入前百家企业”、“十大中国IC设计公司品牌”,被评为“中国十强半导体企业”、“全国五一劳动奖状”、“浙江省专利示范企业”、“浙江省名牌产品”等荣誉称号。公司研发项目多次荣获国家技术发明奖二等奖、国家科技进步奖二等奖、中国半导体创新产品和技术、浙江省科学技术进步一等奖、杭州市科技进步一等奖等奖项。 诚信、忍耐、探索、热情士兰微电子秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的核心理念,以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成就国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力,并向国际知名品牌的集成电路企业迈进!主要分子公司士兰半导体制造事业总部杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司杭州士兰明芯科技有限公司成都士兰半导体制造有限公司成都集佳科技有限公司厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司MEMS产线(IDM)-6&8英寸杭州士兰微1997年成立,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。自2010年开始,士兰微电子投入大量资金,通过对加速度传感器、地磁传感器、压力传感器等一系列传感器产品的开发,在6吋、8吋芯片生产线上实现了批量制造能力,并建立自己的MEMS封测生产线,初步走通了系列传感器的IDM发展之路,已申请相关发明专利百余项。目前士兰微MEMS传感器产品系列丰富,有:MEMS加速度计、三轴AMR磁传感器、六轴惯性传感器、高性能MEMS麦克风、数字三合一传感器、心率传感器、高性能气压压力传感器等。士兰微是中国MEMS十强企业之一,据其2022上半年度报告披露,2022 年上半年,公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 1.5 亿元,较上年同期增加 7.8%。
  • Silan 士兰微 SFR35F60PU 快速恢复二极管

    SFR35F60PU一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间.精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标.该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管.
  • Silan 士兰微 SFR60F60P2 快速恢复二极管

    SFR60F60P2一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
  • Silan 士兰微 SFR60F60PN(P7) 快速恢复二极管

    SFR60F60PN/P7一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
  • Silan 士兰微 SFR35F60P2 快速恢复二极管

    SFR35F60P2一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间.精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标.该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管.
  • Silan 士兰微 SFR30FA60(FA) 快速恢复二极管

    SFR30FA60FA是一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
  • Silan 士兰微 SFR10S40AD(S) 超快速恢复二极管

    SFR10S40AD/S是一款快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和较快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
  • Silan 士兰微 2SF282600SYL 超快恢复二极管芯片

    2SF282600SYL是采用硅外延工艺制造的超快恢复二极管芯片;超快的恢复时间;大电流能力;高抗浪涌电流能力;低正向压降;低反向漏电流。
  • Silan 士兰微 2SF292200SYL 超快恢复二极管芯片

    2SF292200SYL是采用硅外延工艺制造的超快恢复二极管芯片;超快的恢复时间;大电流能力;高抗浪涌电流能力;低正向压降;低反向漏电流。
  • Silan 士兰微 2SF276600SYL 超快恢复二极管芯片

    2SF276600SYL是采用硅外延工艺制造的超快恢复二极管芯片;超快的恢复时间;大电流能力;高抗浪涌电流能力;低正向压降;低反向漏电流。
  • Silan 士兰微 2SF270200UYL 超快恢复二极管芯片

    2SF270200UYL是采用硅外延工艺制造的超快恢复二极管芯片;超快的恢复时间;大电流能力;高抗浪涌电流能力;低正向压降;低反向漏电流。
  • Silan 士兰微 2SF263601FYL 快恢复二极管芯片

    2SF263601FYL是采用硅外延工艺制造的快恢复二极管芯片;低正向压降;低反向漏电流。
  • Silan 士兰微 2CF043032JL 双向触发二极管芯片

    2CF043032JL是采用士兰微电子平面BIPOLAR工艺技术制造的用于塑封的双向触发二极管芯片;利用该芯片封装的典型成品有DB3(双向触发二极管);正面电极材料为铝,背面电极材料为金;该产品主要应用在全波相控电路、节能灯电子镇流器等。
  • Silan 士兰微 2CF040032YQ 双向触发二极管芯片

    2CF040032YQ是采用士兰微电子平面BIPOLAR工艺技术制造的用于玻封的双向触发二极管芯片;利用该芯片封装的典型成品有DB3(双向触发二极管);该产品主要应用在全波相控电路、节能灯电子镇流器等;芯片厚度为160微米,正面电极材料为银球,背面电极材料为银。
  • Silan 士兰微 2CF040032JL 双向触发二极管芯片

    2CF040032JL是采用士兰微电子平面BIPOLAR工艺技术制造的用于塑封的双向触发二极管芯片;利用该芯片封装的典型成品有DB3(双向触发二极管);正面电极材料为铝,背面电极材料为金;该产品主要应用在全波相控电路、节能灯电子镇流器等。
  • Silan 士兰微 2SB023030AMTJL 肖特基二极管芯片

    硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片;损耗功率小效率高;具有瞬态反应保护能力的保护环结构。
  • Silan 士兰微 2CW040091YQ-PB 玻封稳压二极管芯片

    2CW040091YQ-PB是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片,适合于玻封。正面电极材料为银球,背面电极材料为银。芯片尺寸:0.40X 0.40 (mm)2(含划片道)。
  • Silan 士兰微 2CW032051JL-L 塑封稳压二极管芯片

    2CW032051JL-L是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片,适合于塑封。
  • Silan 士兰微 2CW023120YL-100 塑封稳压二极管芯片

    2CW023120YL-100是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片,适合于塑封。
  • Silan 士兰微 2CW100XXXYY-C系列 塑封稳压二极管芯片

    2CW100XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片,适合于塑封。稳压值精度约为±5%。
  • Silan 士兰微 2CW100XXXYY-C系列 塑封稳压二极管芯片

    2CW100XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片,适合于塑封,功率可以达到5W。芯片厚度为250mm,正面电极材料为银,背面电极材料为银。芯片尺寸:1000 X 1000 (μm)2。压点尺寸:830 X 830 (μm)2。
  • Silan 士兰微 2CW087XXXYY系列 塑封稳压二极管芯片

    2CW087XXXYY系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片,适合于塑封。稳压值精度约为±4%。
  • Silan 士兰微 2CW087XXXYY-C系列 塑封稳压二极管芯片

    2CW087XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片,适合于塑封。稳压值精度约为±5%。
  • Silan 士兰微 2CW087XXXYY-C系列 塑封稳压二极管芯片

    2CW087XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片,适合于塑封,功率可以达到3W。芯片厚度为250mm,正面电极材料为银,背面电极材料为银。芯片尺寸:870 X 870 (mm)2。压点尺寸:730 X 730 (mm)2。
  • Silan 士兰微 2CW071XXXYY系列 塑封稳压二极管芯片

    2CW071XXXYY系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片,适合于塑封。稳压值精度约为±5%。
  • Silan 士兰微 2CW071XXXYQ系列 玻封稳压二极管芯片

    2CW071XXXYQ系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片,适合于玻封。正面电极材料为银球,背面电极材料为银。芯片尺寸:0.71X 0.71 (mm)2(含划片道)。
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