分子束外延薄膜生长设备-MBE

利用该设备可以在衬底材料上实现各种材料薄膜的外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。

分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。

我公司设计制造的小型分子束外延薄膜生长实验设备，配置合理，结构相对简单，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。

可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。

本项目于2005年在国内率先完全自主研发全国产化的MBE设备，做到了自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。

经过十几年的工艺探索，设备设计不断升级，已具备设计制造生产型高性能多腔体MBE设备的能力。