SK Hynix Inc. （海力士）前身为1983年成立的韩国现代电子产业株式会社，2012年被SK集团收购以后正式更名为SK海力士株式会社。

SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。作为全球领先的半导体制造商，当前在韩国利川和清州、 中国无锡和重庆设有四个生产基地，并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地。基于过去三十多年的半导体生产运营经验， SK海力士致力于实现持续的研发与投资，增强技术与成本竞争力，引领全球半导体市场。

发展历程

1983 创立现代电子

1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM

1987 开始出口256Kb DRAM

1989 全球半导体市场份额列入前二十

1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业

1996 企业公开募股及上市

1999 量产全国最快Graphic 16Mb SDRAM，收购LG半导体

2001 更名为海力士半导体股份公司，脱离现代集团

2004 成功研发NAND Flash产品

2005 开始生产300mm

2006 中国合作工厂竣工

2008 韩国清州M11竣工

2012 SK海力士成立，韩国清州M12竣工，意大利/美国/台湾技术中心成立

2013 全球首次研发TSV技术HBM

2014 重庆后工序生产公司成立

2015 韩国利川M14竣工

2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR6

2018 韩国清州M15竣工，韩国利川M16开工

2019 行业首次研发出128层4D NAND，无锡C2F竣工

中国业务

SK海力士半导体(中国)有限公司