据外国媒体报道，美国商务部最近宣布与美光签署了不具约束力的初步备忘录（PMT），根据芯片法案，将直接拨款至少61.4亿美元，支持美光到2030年在纽约州克莱投资500亿美元建设两家先进的DRAM超级晶圆厂，在爱达荷州建设先进的DRAM内存大规模生产厂。

此外，美国还将获得至少75亿美元的贷款，并有资格获得美国财政部的投资税抵免。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，为了在美国建立一个强大的领先DRAM芯片生态系统，美光拟议的投资将分布在纽约州和爱达荷州。

据了解，美光计划在纽约克莱建造四家晶圆厂，涉及前两家。每个晶圆厂都有6万平方英尺的洁净室，这是美国有史以来宣布的最大洁净室空间。此外，美光宣布将投资250亿美元在爱达荷州博伊西建设一家大型晶圆厂，洁净室约6万平方英尺，专注于生产领先的DRAM芯片，与美光的研发设施位于同一地点。