3 月 5 美光科技计划率先支持佳能的纳米印刷技术，以进一步减少生产 DRAM 单层存储芯片的成本。

美光公司最近发表了一次演讲，介绍了纳米印刷技术的应用 DRAM 制作的一些细节。美光在演讲中说 DRAM 节点和沉浸式光刻分辨率问题被称为“Chop“层数不断增加，这意味着增加更多的曝光步骤，以取出密集存储阵列周围的虚假结构。（dummy structures）。

美光表示，由于光学系统本身的性质，这些 DRAM 层的图案很难用光学光刻技术打印，而纳米打印方法可以用更精细的方式打印。由于纳米印刷技术的应用成本是沉浸式光刻技术的五分之一，这是一个非常好的解决方案。

在内存芯片生产的各个阶段，纳米印刷技术并不能取代传统的光刻技术，它们并非纯粹的竞争关系，但这种技术至少可以降低单一技术操作的成本。

之前IT之家的报道，佳能 2023 年 10 月公布 FPA-1200NZ2C 纳米压印光刻（NIL）半导体设备。佳能总裁御手洗富士夫表示，纳米压印光刻技术的出现为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了新的途径。

佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指在晶圆上印有半导体电路图案的掩模，在适当的位置形成复杂的印记 2D 或 3D 因此，电路图案只需不断改进掩模，甚至可以生产出来 2nm 芯片。