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Silan 士兰微
成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业之一士兰微始于1997杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6万片。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开工建设。2020年,士兰化合物半导体生产线正式投产,士兰12英寸芯片生产线开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。公司目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:基于士兰芯片生产线高压、高功率、特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及(各类MCU/专用IC组成的)功率半导体方案MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品、通用ASIC电路光电产品及LED芯片制造和封装(含内外彩屏和LED照明)主要产品分立器件成品,IPM智能功率模块,IGBT及其他功率模块,AC-DC电路,快充电路,DC-DC电路,LED照明驱动电路,栅极驱动集成电路,MEMS传感器电路,MCU电路,数字音视频电路,专用ASIC电路,逻辑及开关电路,LED芯片士兰微荣获多项荣誉士兰微电子注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站,拥有集成电路芯片设计研发人员近400人,芯片工艺、封装技术、测试技术研发队伍等超过2000人,研发队伍中拥有博士、硕士超过400人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委高技术产业化、杭州市重大科技创新专项等项目。公司连续多年入围“中国十大集成电路设计企业”、“中国软件业务收入前百家企业”、“十大中国IC设计公司品牌”,被评为“中国十强半导体企业”、“全国五一劳动奖状”、“浙江省专利示范企业”、“浙江省名牌产品”等荣誉称号。公司研发项目多次荣获国家技术发明奖二等奖、国家科技进步奖二等奖、中国半导体创新产品和技术、浙江省科学技术进步一等奖、杭州市科技进步一等奖等奖项。 诚信、忍耐、探索、热情士兰微电子秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的核心理念,以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成就国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力,并向国际知名品牌的集成电路企业迈进!主要分子公司士兰半导体制造事业总部杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司杭州士兰明芯科技有限公司成都士兰半导体制造有限公司成都集佳科技有限公司厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司MEMS产线(IDM)-6&8英寸杭州士兰微1997年成立,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。自2010年开始,士兰微电子投入大量资金,通过对加速度传感器、地磁传感器、压力传感器等一系列传感器产品的开发,在6吋、8吋芯片生产线上实现了批量制造能力,并建立自己的MEMS封测生产线,初步走通了系列传感器的IDM发展之路,已申请相关发明专利百余项。目前士兰微MEMS传感器产品系列丰富,有:MEMS加速度计、三轴AMR磁传感器、六轴惯性传感器、高性能MEMS麦克风、数字三合一传感器、心率传感器、高性能气压压力传感器等。士兰微是中国MEMS十强企业之一,据其2022上半年度报告披露,2022 年上半年,公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 1.5 亿元,较上年同期增加 7.8%。
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集成电路(IC)
达林顿阵列功率驱动电路
Silan 士兰微 SA2703 达林顿阵列功率驱动集成电路
SA2703是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个NPN 达林顿管组成。所有单元共用发射极,每个单元采用开集电极输出。每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,直接兼容TTL 和5V CMOS 电路,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。SA2703 工作电压高,工作电流大,灌电流可达500mA,并且能够在关态时承受50V 的电压,输出还可以在高负载电流下并行运行,很好的提供了需要多接口驱动电路的解决方案。
Silan 士兰微 SA2803 达林顿阵列功率驱动集成电路
SA2803是高耐压、大电流达林顿阵列,由八个NPN 达林顿管组成。所有单元共用发射极,每个单元采用开集电极输出。每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,直接兼容TTL 和5V CMOS电路,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。SA2803 工作电压高,工作电流大,灌电流可达500mA,并且能够在关态时承受50V 的电压,输出还可以在高负载电流下并行运行,很好的提供了需要多接口驱动电路的解决方案。
Silan 士兰微 SAP2003 达林顿阵列功率驱动集成电路
SAP2003是高耐压、大电流达林顿阵列,由七个NPN 达林顿管组成,所有单元共用发射极。每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,直接兼容TTL 和5V CMOS 电路。SAP2003单通道灌电流可达500mA,且最高工作电压可达50V。高负载电流状态下,输出可以并行运行。
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