Silan 士兰微
成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业之一士兰微始于1997杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6万片。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开工建设。2020年,士兰化合物半导体生产线正式投产,士兰12英寸芯片生产线开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。公司目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:基于士兰芯片生产线高压、高功率、特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及(各类MCU/专用IC组成的)功率半导体方案MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品、通用ASIC电路光电产品及LED芯片制造和封装(含内外彩屏和LED照明)主要产品分立器件成品,IPM智能功率模块,IGBT及其他功率模块,AC-DC电路,快充电路,DC-DC电路,LED照明驱动电路,栅极驱动集成电路,MEMS传感器电路,MCU电路,数字音视频电路,专用ASIC电路,逻辑及开关电路,LED芯片士兰微荣获多项荣誉士兰微电子注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站,拥有集成电路芯片设计研发人员近400人,芯片工艺、封装技术、测试技术研发队伍等超过2000人,研发队伍中拥有博士、硕士超过400人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委高技术产业化、杭州市重大科技创新专项等项目。公司连续多年入围“中国十大集成电路设计企业”、“中国软件业务收入前百家企业”、“十大中国IC设计公司品牌”,被评为“中国十强半导体企业”、“全国五一劳动奖状”、“浙江省专利示范企业”、“浙江省名牌产品”等荣誉称号。公司研发项目多次荣获国家技术发明奖二等奖、国家科技进步奖二等奖、中国半导体创新产品和技术、浙江省科学技术进步一等奖、杭州市科技进步一等奖等奖项。 诚信、忍耐、探索、热情士兰微电子秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的核心理念,以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成就国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力,并向国际知名品牌的集成电路企业迈进!主要分子公司士兰半导体制造事业总部杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司杭州士兰明芯科技有限公司成都士兰半导体制造有限公司成都集佳科技有限公司厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司MEMS产线(IDM)-6&8英寸杭州士兰微1997年成立,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。自2010年开始,士兰微电子投入大量资金,通过对加速度传感器、地磁传感器、压力传感器等一系列传感器产品的开发,在6吋、8吋芯片生产线上实现了批量制造能力,并建立自己的MEMS封测生产线,初步走通了系列传感器的IDM发展之路,已申请相关发明专利百余项。目前士兰微MEMS传感器产品系列丰富,有:MEMS加速度计、三轴AMR磁传感器、六轴惯性传感器、高性能MEMS麦克风、数字三合一传感器、心率传感器、高性能气压压力传感器等。士兰微是中国MEMS十强企业之一,据其2022上半年度报告披露,2022 年上半年,公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 1.5 亿元,较上年同期增加 7.8%。
  • Silan 士兰微 SDH8654B 内置高压MOSFET的PWM+PFM控制器系列

    SDH8654B是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器。SDH8654B内置高压启动恒流源,低待机功耗。有多种控制模式:在重载时,工作在PWM模式;在轻载时,工作在PFM模式,以提高转换效率;在空载时,进入打嗝模式,以降低待机功耗。SDH8654B具有抖频功能,以降低EMI。内置峰值电流补偿电路,在不同交流电压输入时的极限输出功率一致。内置软启动功能,在上电过程中减小变压器的应力,防止变压器饱和。SDH8654B内部集成全面的异常状态保护功能,包括前沿消隐(LEB),逐周期峰值限流,VCC过压保护(OVP),输出过载保护(OLP),AC输入欠压保护(AC_UVP),AC输入过压保护(AC_OVP)和过温保护(OTP)等。
  • Silan 士兰微 SDH8635 内置高压MOSFET的PWM+PFM控制器系列

    SDH8635是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器。SDH8635内置高压启动恒流源,低待机功耗。有多种控制模式:在重载时,工作在PWM模式;在轻载时,工作在PFM模式,以提高转换效率;在空载时,进入打嗝模式,以降低待机功耗。SDH8635具有抖频功能,以降低EMI。内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限输出功率一致。内置软启动功能可以在上电过程中减小变压器的应力,防止变压器饱和。SDH8635内部集成全面的异常状态保护功能,包括前沿消隐(LEB),逐周期峰值限流,VCC过压保护(OVP),输出过载保护(OLP)和过温保护(OTP)等。SDH8635在全电压范围内支持最高输出功率24W。
  • Silan 士兰微 SA3525 PWM控制器

    SA3525是一个性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片,它简单可靠及使用方便灵活,输出驱动为推挽输出形式,增加了驱动能力;内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器,有过流保护功能,频率可调,同时能限制最大占空比。
  • Silan 士兰微 SDH8634 内置高压MOSFET的PWM+PFM控制器系列

    SDH8634是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器。SDH8634内置高压启动恒流源,低待机功耗。有多种控制模式:在重载时,工作在PWM模式;在轻载时,工作在PFM模式,以提高转换效率;在空载时,进入打嗝模式,以降低待机功耗。SDH8634具有抖频功能,以降低EMI。内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限输出功率一致。内置软启动功能可以在上电过程中减小变压器的应力,防止变压器饱和。SDH8634内部集成全面的异常状态保护功能,包括前沿消隐(LEB),逐周期峰值限流,VCC过压保护(OVP),输出过载保护(OLP)和过温保护(OTP)等。SDH8634在全电压范围内支持最高输出功率18W。
  • Silan 士兰微 SDH8322S 电流模式PWM控制器

    SDH8322S 是高压启动,内置高压MOSFET的电流模式PWM+PFM控制器,适用于Buck及Buck-Boost拓扑。SDH8322S 在轻载条件下降频工作,优化轻载条件下的转换效率。在极轻载及空载条件下工作于打嗝模式,从而有效地降低系统的待机功耗。SDH8322S 内部集成了全面的异常状态保护功能,包括VDD欠压保护,VDD过压保护,前沿消隐,过流保护,过温保护等。SDH8322S 可通过管脚配置输出电压,12V/15V/18V输出电压可选。SOP8贴片封装,在全电压范围支持最大输出200mA电流。
  • Silan 士兰微 SDH8323 电流模式PWM控制器

    SDH8323 是高压启动,内置高压MOSFET的电流模式PWM+PFM控制器,适用于Buck及Buck-Boost拓扑。SDH8323 在轻载条件下降频工作,优化轻载条件下的转换效率。在极轻载及空载条件下工作于打嗝模式,从而有效地降低系统的待机功耗。SDH8323 内部集成了全面的异常状态保护功能,包括VDD欠压保护,VDD过压保护,前沿消隐,过流保护,过温保护等。SDH8323 可通过管脚配置输出电压,12V/15V/18V输出电压可选。DIP7封装,在全电压范围支持最大输出300mA电流。
  • Silan 士兰微 SA3844 电流模式PWM控制器

    SA3844是一款固定频率电流模式脉宽调制控制器,设计用于隔离或DC-DC定频电流模式控制应用,所需外部元件数量极少。内部电路包括欠压锁定电路(启动电流小于0.5mA),修调的精密基准电路作为一端输入的误差放大器,可完成锁存操作的逻辑电路,以及可提供限流控制的PWM比较器,图腾柱输出级设计用于大拉电流或灌电流。输出级在关断状态为低电平,适用于驱动N沟道MOSFETs。
  • Silan 士兰微 SA3843 电流模式PWM控制器

    SA3843是一款固定频率电流模式脉宽调制控制器,设计用于隔离或DC-DC定频电流模式控制应用,所需外部元件数量极少。内部电路包括欠压锁定电路(启动电流小于0.5mA),修调的精密基准电路作为一端输入的误差放大器,可完成锁存操作的逻辑电路,以及可提供限流控制的PWM比较器,图腾柱输出级设计用于大拉电流或灌电流。输出级在关断状态为低电平,适用于驱动N沟道MOSFETs。
  • Silan 士兰微 SAP2844 电流模式PWM控制器

    SAP2844是高性能固定频率电流模式控制器,专为隔离或DC-DC转换器应用而设计,为设计人员提供只需最少外部元件就能获得成本效益高的解决方案。该电路提供欠电压锁定模块,启动电流小于0.5mA,误差放大器输入端连接一个精准的基准电压,经过修整可提供高精度,其他内部模块包括确保闭锁运行的逻辑电路,限流和为大电流图腾柱式输出而设计的PWM比较器。这个输出结构适合于驱动N沟道MOSFET,输出端在关断状态为低电平。
  • Silan 士兰微 ​SA3846 电流模式PWM控制器

    SA3846采用定频电流模式控制,改善了系统的线电压调节率和负载响应特征,简化了控制环路的设计。SA3846内置精密带隙可调基准电压、高频振荡器、误差放大器、差动电流检测放大器、欠电压锁定电路以及软启动电路,具有推挽变换自动对称校正、并联运动、外部关断、双脉冲抑制以及死区时间调节等功能。

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