感应距离:0.210inch(5.33mm) |
感应方法:反射 |
电压 - 集射极击穿(最大值):2.25 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 µA |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):40 mA |
输出类型:光电晶体管 |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:模块,PC 引脚,槽型 |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:65% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:100cps |
波长 - 峰值:650nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:FC 光纤适配器 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
波长:905nm |
频谱范围:500nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:900ps |
电流 - 暗(典型值):5nA |
有效面积:500µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 60°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-CLCC |
频谱范围:200nm ~ 1000nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):5 V |
有效面积:14.0µm 高 x 14.0µm 宽(X2048) |
工作温度:-25°C ~ 55°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:模块 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:2700 KV/W @ 830nm,3000 KV/W @ 900nm |
响应时间:7ns |
有效面积:0.5mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
传感器类型:PIR(无源红外) |
输出类型:模拟 |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.3V |
触发器类型:内部 |
特性:定时器 |
封装/外壳:TO-5 变体,6 引线,透镜顶金属罐 |
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