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Fatri 西人马
西人马科技有限公司(FATRI)是一家芯片IDM公司,具备芯片和传感器材料合成、设计、制造、封装和测试全方位能力,致力于民用航空、能源、医疗、交通及工业设备的控制与监测,打造“端-边-管-云-用”的一体化解决方案。西人马始终立足于感知与人工智能的核心技术,包括:先进材料技术、先进芯片技术、先进传感器技术及人工智能算法技术,并在这些领域通过持续、大幅度的投入,每年以几百项专利的速度快速递增。同时,西人马分别通过了ISO9001/AS9100D质量管理体系、ISO14001环境管理体系和ISO45001职业健康安全管理体系,构建了西人马的设计、生产、系统集成和销售与服务实力,为客户提供用于民用航空、海洋船舶、石油石化、风力发电、工业智能、轨道交通、健康医疗、通用测试等领域的高可靠性、高性能的产品与服务,帮助更多企业从信息化时代进入智能化时代。西人马总公司为西人马(厦门)科技有限公司,目前成立了西人马未来先进技术研究院(FATRI LAB)、西人马联合测控(泉州)科技有限公司 (FATRI UTC)和西人马大周(萍乡)医疗科技有限公司(FATRI HEALTH&MEDICAL)等单位。西人马未来先进技术研究院(FATRI LAB)成立于2015年,包含厦门研究院、北京研究院、西安研究院、深圳研究院和上海研究院,汇集着材料学、理论物理、微电子、控制理论及信号处理与系统分析等各领域的科研人员,依托研究院先进的仪器与设备,聚焦于微纳米技术、分子生物学技术、新传感技术、人工智能技术和现代仪器仪表等方面的研究。西人马联合测控(泉州)科技有限公司(FATRI UTC)成立于2017年,是西人马MEMS高端传感器和芯片制造基地,占地70亩,建筑面积20000㎡,具有6000㎡的超净车间和先进微纳米研究实验室,配备8英寸向下兼容6英寸的MEMS智能传感器芯片产线和中国先进的MEMS器件加工平台,聚焦于先进材料、⾼端MEMS及 ASIC和微处理芯⽚及传感器的研发、制造与检测。公司拥有先进的仪器设备,能够进行深硅刻蚀、键合、溅射、光刻、PECVD、LPCVD清洗、MCP等芯片的生产、封装及测试,满足客户的个性化定制需求。公司严格按照航空AS9100D及医疗ISO17025质量体系为全球客户提供各类MEMS芯片、传感器及MEMS芯片OEM服务。西人马大周(萍乡)医疗科技有限公司(FATRI HEALTH&MEDICAL)成立于2018年,规划占地面积180余亩,建成后将拥有超过1万平米的现代化医疗GMP厂房及超净车间、微流控实验室、先进智能医疗芯片检测平台,着力打造覆盖健康医疗器械、体外诊断(IVD)、即时诊断(POCT)、微流控芯片等细分行业领域的先进智能医疗芯片产业园区,研发、制造、检测、销售健康医疗领域的智能产品和系统,包括:系列医疗芯片、试剂检测、器械设备、集成系统及整套解决方案与定制化服务。以敬畏生命的态度研发和制造用于改善人类健康、环境和安全的核心技术、产品与服务是我们的目标, 西人马愿与世界各地的合作伙伴共同发展!
  • Fatri 西人马 SGXV02-100-000-100 非接触式红外温度传感器

    响应率:125 V/W
    探测率:0.63 10^8cmHz^(½)/W
    测量范围:-30 to 100 C
    等效噪声功率:0.44 nW·Hz1/2
    热电堆温度系数:0.06 %/℃
    噪声电压:60±2 nV/Hz1/2
    时间常数:15 ms
    视场角:112°
    分辨率:0.1℃(35℃-41℃) 0.2℃(-10℃-85℃) 0.3℃(-30℃-100℃)
    NTC 电阻:100±3% KΩ
    NTC β值:3950±1% K
    储存温度:-40 to 125 C
    封装形式:TO-46
    通过率:≥75% 5.5-14um
    传播范围:5.5 um 长波通过
    阻塞传输:1% <5um
    Thermopile Resistance :70 to 160 kΩ, typ. 100 kΩ
  • Fatri 西人马 SGXV01-100-000-100 非接触式红外温度传感器

    探测率:0.63 10^8cmHz^(½)/W
    测量范围:-30 to 100 C
    响应率:125 V/W
    测温精度:0.1 C
    视场角:78°
    等效噪声功率:0.44 nW·Hz1/2
    噪声电压:60±2 nV/Hz1/2
    NTC 电阻:-100 to 100 kohms
    NTC β值:4250 ±1% K
    封装形式:TO-39
    储存温度:-40 to125 C
    热电堆温度系数:0.06 %/℃
    热电堆电阻:280 to 420 kΩ, typ.350 kΩ
    时间常数:15 ms
  • Fatri 西人马 SGXV02-085-001-001 非接触式红外温度传感器

    响应时间:0.5 seconds
    工作电源电压:3 to 5 V
    储存温度:-40 to 100 C
    测温精度:0.1 C
    分辨率:0.1 C
    视场角:112
    通信模式:标准I2C通信协议
    连接器:默认为1.27mm排针连接器,可接受客户定制
    Operating Temperature Range:-40 to 85 C
  • Fatri 西人马 SGXV02-100-000-100-B 非接触式红外温度传感器

    探测率:0.63 10^8cmHz^(½)/W
    响应率:125 V/W
    测量范围:C
    NTC 电阻:100±3% KΩ
    NTC β值:3950±1% K
    储存温度:-40~125℃
    噪声电压:60±2 nV/Hz1/2
    封装形式:TO-46
    时间常数:15ms
    分辨率:0.1℃(35℃-41℃) 0.2℃(-10℃-85℃) 0.3℃(-30℃-100℃)
    热电堆温度系数:0.06 %/℃
    热电堆电阻:70 kΩ (Min.) 135 kΩ (Typ.) 200 kΩ (Max.)
    等效噪声功率:0.44 nW·Hz1/2
    视场角:112°
  • Fatri 西人马 SGXV02-100-000-100-A 非接触式红外温度传感器

    探测率:0.63 10^8cmHz^(½)/W
    测量范围:-30 to 100 C
    响应率:125 V/W
    视场角:112°
    等效噪声功率:0.44 nW·Hz1/2
    噪声电压:60±2 nV/Hz1/2
    NTC 电阻:100±3% KΩ
    NTC β值:3950±1% K
    封装形式:TO-46
    分辨率:0.1℃(35℃-41℃) 0.2℃(-10℃-85℃) 0.3℃(-30℃-100℃)
    储存温度:-40 to 125 C
    热电堆温度系数:0.06 %/℃
    时间常数:15 ms
    Thermopile Resistance :70 to 200 kΩ, typ. 135 kΩ
  • Fatri 西人马 SGVX03-032-001-001-1 非接触式红外温度传感器

    工作温度:-20 to 85 C
    响应率:450 V/W
    传感器技术:Thermopile
    模拟量输出:不行
    时钟:1to13MHZ 典型值5MHZ
    数据接口:I2C
    EEPROM 容量:64kBit
    视场角:33×33℃
    感应阵列:32×32 阵列
    储存温度:-40℃ ~ +85℃
    供电电流:5.0to7.4 mA 典型值6.2mA
    供电电压:3.3to3.6 V 典型值3.35
    热电堆电阻:300 KΩ
    时间常数:<4 ms

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