Silan 士兰微 3VD582600YL 高压MOSFET芯片
3VD582600YL
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Silan 士兰微
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Silan 士兰微
产品介绍
3VD582600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;
先进的高压分压终止环结构;
较高的雪崩能量;
漏源二极管恢复时间快;
该芯片可采用TO-220型式封装,典型的成品规格为20N60;
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
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