产品介绍
SJT2193PPN/PL PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT2193PPN/PL具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。
该产品主要应用于高功率音频输出，磁头定位器和线性应用程序。具有线性范围宽、失真度低的特点。
SJT2193PPN/PL三极管目前可提供TO-3P和TO-264-3L封装外形。
互补NPN管：SJT2194NPN。
主要特点
较高的击穿电压余量。
非常低的漏电电流。
高输出功率：200W；
较高的二次击穿耐量和可靠性。
封装外形图
TO-264-3L
TO-3P
产品替代
找到 个替代产品
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
