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Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管

SVG06100NSA

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产品介绍

SVG06100NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点

  • 14A，60V，RDS(on)（典型值）=8mW@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力


封装外形图

SOP-8-225-1.27

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