产品介绍
本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,如CATV视频放大器、无线收发模块、各类远距离遥控器、安防报警器、模拟数字无绳电话等产品中,适合中功率高频信号放大;
集电极-发射极击穿电压:BVCEO=15V,最大集电极电流:ICM=100mA,集电极耗散功率:PC=1000mW,特征频率:fT=8.5GHz;
封装形式:SOT89,本体印字(Marking):S58。
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MARIFY3357(S58) 三极管资源附件
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