鼎诺仪器 TC Wafer热电偶,晶圆测温系统 tc wafer晶圆测温系统
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TC Wafer热电偶,晶圆测温系统
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鼎诺仪器
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7 天
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鼎诺仪器
产品介绍
TC Wafer 晶圆测温系统是一种用于测量晶圆表面温度的高精度设备,在半导体制造过程中发挥着重要作用,以下是其相关介绍:
一、系统组成
1、热电偶传感器:是系统的核心部件,由两种不同金属或合金连接而成,基于塞贝克效应,当晶圆表面温度变化时,会产生电势差,从而实现温度测量,通常以中心环绕的形式均匀排布在硅晶圆的特定位置
2、硅晶圆:作为半导体工艺的关键组件,是专门用于在其表面进行温度测量的对象,也可根据需求选择蓝宝石等其他基材以及不同尺寸和形状的晶圆
3、有线连接系统:连接热电偶和数据采集设备的电缆,需耐受高温环境以保持传感器精确性,常使用氧化铝陶纤线套包裹
4、数据采集设备:读取和记录热电偶产生的电势差,并将其转化为温度数据,通常还提供监控和记录温度的接口
二、工作原理
TC Wafer 晶圆测温系统利用热电效应测量温度,在晶圆表面埋入微小的热电偶元件,当晶圆表面温度发生变化时,热电偶产生微弱的电压信号,通过测量这些电压信号,准确地计算出晶圆的温度变化.
三、特点及优势
1、高精度:传感器直接嵌入晶圆表面,可实时、精确监测晶圆温度,微小的温度变化也能被准确捕捉,确保制程的稳定性
2、可靠性强:传感器材料稳定,适应长期运行,不易受外界干扰.
3、即时性好:传感器的实时性能使生产线上的温度调整能够迅速响应,减少生产过程中的温度波动.
四、应用场景
1、晶圆热处理:精确控制晶圆温度,确保所需的材料性能和结构
2、晶圆降温:监测降温过程中的温度变化,避免温度梯度引起的应力和热应力
3、薄膜沉积:精确控制温度,影响薄膜的厚度、均匀性和质量
4、等离子体刻蚀:实时监测和控制温度,防止温度变化影响刻蚀速率和表面质量
五、技术参数
硅片尺寸:2,3,4,5,6,8,12寸等
测温点数:1-64点
温度范围:-200-1600度
数据采集系统:1-64路
定制分析软件
TC Wafer热电偶,晶圆测温系统 tc wafer晶圆测温系统技术参数
规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
性 能 | ||
测量范围 | -200到1200 | |
更多技术信息 | ||
传感器类型 | 铂电阻;热敏电阻;热电偶 | |
热电偶类型 | K (-270°C - 1372°C);N (-270°C - 1300°C) |
产品替代
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