TTElectronics/Semelab D2225UK TTElectronics/Semelab

描述

D2225UK是Semelab plc生产的一款金层化多功能硅DMOS射频场效应管(RF FET)，专为5W功率范围内的应用设计，适用于12.5V以下的电压，并且能够处理高达1GHz的频率。这款产品以其高增益和低噪声特性，非常适合用于HF/VHF/UHF通信领域。

特性

• 简化的放大器设计：D2225UK的设计允许简化放大器的电路设计，减少组件数量和复杂性。
• 宽带应用：适用于1MHz到1GHz的HF/VHF/UHF通信。
• 极低Crss：极低的交叉电容有助于减少信号失真，提高放大器的性能。
• 简单的偏置电路：简化的偏置设计使得产品更容易集成到现有电路中。
• 低噪声：低噪声特性使其非常适合高保真度的通信系统。
• 高增益：至少10dB的最小增益，确保信号的有效放大。
• SO8封装：使用标准SO8封装，便于集成和自动化装配。
• 符合RoHS标准：产品符合欧盟关于限制有害物质使用的法规。

应用

D2225UK的应用领域广泛，主要包括：

• HF/VHF/UHF通信：在1MHz到1GHz的频率范围内，适用于各种通信系统。
• 金属栅射频硅场效应管：采用先进的金属栅技术，提供更好的性能和可靠性。
• TetraFET技术：利用TetraFET技术，提供更高的功率处理能力和更优的热性能。

电气特性

• 最大漏极电流：4A
• 漏源击穿电压：40V
• 栅源击穿电压：±20V
• 存储温度：-65°C至150°C
• 最大工作结温：200°C

机械数据

• 封装类型：SO8表面贴装封装
• 引脚配置：包括源极、漏极和栅极等

危险物质警告

D2225UK的陶瓷部分含有氧化铍，氧化铍粉尘具有高毒性。在处理和安装时必须小心，避免损坏该区域。

总结

D2225UK是一款高性能的射频场效应管，适用于需要高增益、宽带宽和低噪声的应用。其简化的设计和符合环保标准的特性使其成为通信和相关领域的理想选择。