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TTElectronics/Semelab D1020UK 高性能硅DMOS射频场效应管(RFFET)

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D1020UK是由Semelab plc生产的一款高性能金层化多用途硅DMOS射频场效应管(RF FET),专为150W输出功率、28V供电电压、400MHz频率范围内的推挽应用设计。这款产品具备优异的射频性能,适用于需要高功率和高效率的通信系统。


特性

  • 超低Crss(反向传输电容):有助于减少寄生效应,提高放大器的稳定性和性能。
  • 简化的放大器设计:便于设计人员快速实现高性能射频放大器。
  • 宽带应用适用:适合宽带应用,覆盖从1MHz到500MHz的频率范围。
  • 简单的偏置电路:简化了设备的偏置设计,降低了设计复杂度。
  • 低噪声:低噪声特性使其在接收机和低噪声放大器应用中表现优异。
  • 高增益:最小增益为10dB,确保了信号的有效放大。


应用

  • HF/VHF/UHF通信:适用于1MHz至500MHz的通信系统,包括无线电广播、无线通信和卫星通信。
  • 金属栅射频硅场效应管(TetraFET):采用先进的金属栅技术,提供卓越的射频性能。


电气特性

  • 最大耗散功率:389W
  • 漏源击穿电压:70V,±20V
  • 漏极电流:最大25A
  • 存储温度:-65°C至150°C
  • 最大工作结温:200°C


机械数据

  • 封装:提供详细的机械尺寸和公差,以确保与现有系统的兼容性。


热数据

  • 结壳热阻:最大0.45°C/W,确保有效的热管理。


危险物质警告

  • 铍氧化物:设备引脚和金属法兰之间的陶瓷部分含有铍氧化物,其粉尘具有高毒性。在处理和安装过程中需小心,避免损坏此区域。


环保合规

  • RoHS合规:产品符合欧盟限制有害物质使用的指令。

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工作频率 1MHz到500MHz

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