简介
TMR1345是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。TMR1345采用高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1345通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1345以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1345采用更小体积的LGA2x1.5x0.63 -3L的封装形式。
特性
（1）隧道磁电阻 (TMR) 技术；（2）1.5微安更低功耗；（3）高频率响应 > 1kHz；（4）全极磁开关；（5）高灵敏度，低开关点；（6）宽工作电压范围；（7）卓越的温度稳定性；（8）优越的抗外磁场性能；（9）更小型封装（LGA2x1.5x0.63 -3L）
应用
（1）流量计，包括水表、气表和热量表；（2）接近开关；（3）速度检测；（4）位置检测；（5）电机和风扇控制
TMR1345 低功耗全极型磁开关技术参数
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| 类型 | 全极 | |
| 供电电压 | 1.8～5.5 V | |
| 工作模式 | 连续供电 | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| B_rp (Gs,25°C) | ±63 | |
| 输出接口 | Open Drain | |
| 产品型号 | TMR1345 | |
| 兼容型号 | — | |
| 封装形式 | LGA3L (2×1.5×0.63) | |
| 交付周期 | In stock | |
| 功耗 | 1.5 uA | |
| B_op (Gs,25°C) | ±72 |
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