MDT 多维科技 TMR1262 200nA低功耗双极锁存型磁开关传感器
多维科技 200nA低功耗双极锁存型磁开关传感器 TMR1262
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TMR1262
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简介
TMR1262是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。TMR1262采用TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1262通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1262以低电压工作、200nA级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1262采用三种封装形式：SOT23-3和TO-92S，所对应的产品型号分别为TMR1262S和TMR1262T。
应用
（1）计量仪表（水表，气表，热量表）；（2）固态开关；（3）速度检测；（4）线性及旋转位置检测
特性
（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）更低功耗(200nA)；（3）50Hz高频率响应；（4）双极锁存型开关；（5）-40～125℃宽工作温度范围；（6）1.8V~5.5V宽工作电压范围；（7）CMOS输出；（8）优越的抗外磁场性能
TMR1262 200nA低功耗双极锁存型磁开关传感器技术参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 工作模式 | 分时供电 | |
| B_rp (Gs,25°C) | -17 | |
| 输出接口 | CMOS | |
| 封装形式 | SOT23-3 TO92S | |
| 产品型号 | TMR1262 | |
| 兼容型号 | — | |
| 类型 | 双极锁存 | |
| B_op (Gs,25°C) | 17 | |
| 交付周期 | In stock | |
| 供电电压 | 1.8～5.5 V | |
| 功耗 | 200nA | |
| 敏感方向 | X轴 |
产品替代
资料下载
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| index | 727.60 KB | 下载 |
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