MDT 多维科技 TMR1213 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器

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简介

TMR1213是一款集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。与常规的磁开关相比,TMR1213 带有磁存储功能,在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化,并存储在磁存储单元中,上电后可以立刻读取最近一次的磁场极性状态。TMR1213采用TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1213通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。TMR1213以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1213采用封装形式为SOT23-3和TO92S,所对应的产品型为TMR1213 S和TMR1213T。

应用

(1)计量仪表(水表、气表、热量表);(2)固态开关;(3)速度检测;(4)线性及旋转位置检测;(5)电梯门机双稳定开关


特性

(1)隧道磁电阻(TMR) 技术;(2)更低功耗1.5μA;(3)1kHz高频率响应;(4)双极锁存型开关;(5)掉电磁存储;(6)宽工作电压范围;(7)卓越的温度稳定性;(8)优越的抗外磁场性能

TMR1213 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器技术参数

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产品型号 TMR1213
兼容型号
功耗 1.5uA
工作模式 连续供电
敏感方向 X轴
B_op (Gs,25°C) 75
B_rp (Gs,25°C) -75
交付周期 In stock
类型 双极锁存
供电电压 1.8~5.5 V
输出接口 CMOS
封装形式 SOT23-3 TO92S

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