MDT 多维科技 TMR1213 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器
多维科技 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器 TMR1213
-
登录 后询价或查看价格
-
TMR1213
-
MDT 多维科技
-
请咨询供应商
-
MDT 多维科技
简介
TMR1213是一款集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。与常规的磁开关相比,TMR1213 带有磁存储功能,在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化,并存储在磁存储单元中,上电后可以立刻读取最近一次的磁场极性状态。TMR1213采用TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1213通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。TMR1213以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1213采用封装形式为SOT23-3和TO92S,所对应的产品型为TMR1213 S和TMR1213T。
应用
(1)计量仪表(水表、气表、热量表);(2)固态开关;(3)速度检测;(4)线性及旋转位置检测;(5)电梯门机双稳定开关
特性
(1)隧道磁电阻(TMR) 技术;(2)更低功耗1.5μA;(3)1kHz高频率响应;(4)双极锁存型开关;(5)掉电磁存储;(6)宽工作电压范围;(7)卓越的温度稳定性;(8)优越的抗外磁场性能
TMR1213 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器技术参数
规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
更多规格 | ||
产品型号 | TMR1213 | |
兼容型号 | — | |
功耗 | 1.5uA | |
工作模式 | 连续供电 | |
敏感方向 | X轴 | |
B_op (Gs,25°C) | 75 | |
B_rp (Gs,25°C) | -75 | |
交付周期 | In stock | |
类型 | 双极锁存 | |
供电电压 | 1.8~5.5 V | |
输出接口 | CMOS | |
封装形式 | SOT23-3 TO92S |
产品替代
资料下载
文件名称 | 大小 | 操作 |
---|---|---|
index | 670.11 KB | 下载 |
声明:本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题,请联系本网处理,侵权内容将在一周内下架整改。
高灵敏度磁记忆TMR开关传感器相关品牌
高灵敏度磁记忆TMR开关传感器同类产品
加载中···