MDT 多维科技 TMR1202H 低功耗高频双极锁存型磁开关传感器

多维科技 低功耗高频双极锁存型磁开关传感器 TMR1202H

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简介

TMR1202H是一款集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。TMR1202H采用TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1202H通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。TMR1202H以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1202H采用两种封装形式:SOT23-3封装形式和TO-92S,所对应的产品型号分别为TMR1202HS和TMR1202HT。

特性

1隧道磁电阻(TMR)技术;(2)1.5微安低功耗;(3)5kHz高频率响应;(4)双极锁存型开关;(5)高灵敏度,低开关点;(6)宽工作电压范围;(7)卓越的温度稳定性;(8)优越的抗外磁场性能

应用

1流量计,包括水表、气表和热量表;(2)固态开关;(3)速度检测;(4)线性及旋转位置检测


TMR1202H 低功耗高频双极锁存型磁开关传感器技术参数

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SOT23-3 TO92S 交付周期
In stock 规格说明书
-17 输出接口
兼容型号 类型
双极锁存 供电电压
1.8~5.5 V 功耗
1.5uA 工作模式
连续供电 敏感方向
X轴 B_op (Gs,25°C)
17 B_rp (Gs,25°C)
产品型号 TMR1202H
CMOS 封装形式

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