MDT 多维科技 TMR2501 Z轴垂直感应TMR线性传感器
多维科技 Z轴垂直感应TMR线性传感器 TMR2501
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TMR2501
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简介
TMR2501采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内,TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2501性能优越,采用两种封装形式:TO94和SSIP4。
应用
(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)位置传感器。
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性;(5)极低的磁滞;(6)宽工作电压范围
TMR2501 Z轴垂直感应TMR线性传感器技术参数
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饱和场(Oe) | ±1k | |
产品型号 | TMR2501 | |
兼容型号 | TMR501 | |
电阻(kΩ) | 5 | |
敏感方向 | Z轴 | |
磁滞(Oe) | 1 | |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | ~50 | |
封装形式 | TO94 SSIP4 | |
交付周期 | In stock | |
磁阻结构 | 全桥 | |
供电电压 | 0~7 V | |
敏度(mV/V/Oe) | 0.3 |
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