MDT 多维科技 TMR2501 Z轴垂直感应TMR线性传感器

多维科技 Z轴垂直感应TMR线性传感器 TMR2501

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简介

TMR2501采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内,TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2501性能优越,采用两种封装形式:TO94和SSIP4。

应用

(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)位置传感器


特性

(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性;(5)极低的磁滞;(6)宽工作电压范围

 

TMR2501 Z轴垂直感应TMR线性传感器技术参数

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饱和场(Oe) ±1k
产品型号 TMR2501
兼容型号 TMR501
电阻(kΩ) 5
敏感方向 Z轴
磁滞(Oe) 1
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~50
封装形式 TO94 SSIP4
交付周期 In stock
磁阻结构 全桥
供电电压 0~7 V
敏度(mV/V/Oe) 0.3

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