MDT 多维科技 TMR2309 三轴TMR线性传感器

多维科技 三轴TMR线性传感器 TMR2309

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简介

三轴TMR2309采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2309模组尺寸为:长x宽x高=9.5x9.5x6.0 mm (不含插针)。

特性

(1)隧道磁电阻 ( TMR) 技术;(2)更高灵敏度 (~100mV/V/Oe);(3)更低的本底噪声 (150pT/√Hz @1Hz);(4)更低功耗;(5)优越的温度稳定性;(6)低的磁滞;(7)宽工作电压范围;(8)不需要置位/复位脉冲电路

应用

(1)微弱磁场检测;(2)电流传感器;(3)位置传感器;(4)生物医疗;(5)磁通讯

TMR2309 三轴TMR线性传感器技术参数

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电阻(kΩ) 15
敏感方向 X/Y/Z轴
产品型号 TMR2309
兼容型号
供电电压 0~3 V
磁滞(Oe) 0.02
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~0.15
封装形式 Module(9.5x9.5x6.0)
交付周期 In stock
磁阻结构 全桥
敏度(mV/V/Oe) 100
饱和场(Oe) ±8

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