MDT 多维科技 TMR2301 三轴TMR线性传感器

多维科技 三轴TMR线性传感器 TMR2301

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简介

三轴TMR2301采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2301采用的封装形式:LGA(4mm x 4mm x 2.5mm)。

特性

(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术;(2)三维线性感应;(3)更宽动态范围;(4)低功耗;(5)优越的温度稳定性;(6)宽工作电压范围;(7)无需置位/复位脉冲电路


应用

(1)三维空间测量;(2)微弱磁场检测;(3)电流传感器;(4)位置传感器

TMR2301 三轴TMR线性传感器技术参数

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敏感方向 X/Y/Z轴
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~100
交付周期 In stock
产品型号 TMR2301
兼容型号
敏度(mV/V/Oe) 1
电阻(kΩ) 15
饱和场(Oe) ±500
磁阻结构 全桥
供电电压 0~7 V
磁滞(Oe) 1
封装形式 LGA12L(4x4x2.5)

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