MDT 多维科技 TMR2105 大动态范围TMR线性传感器

多维科技 大动态范围TMR线性传感器 TMR2105

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简介

TMR2105采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2105性能优越,采用LGA4(2mm×1.5mm×0.73mm)封装形式。

特性

(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)大动态范围可达1000 Oe;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性

应用

(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)角度传感器;(4)位置传感器

TMR2105 大动态范围TMR线性传感器技术参数

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磁阻结构 全桥
供电电压 0~7 V
饱和场(Oe) ±1000
敏感方向 X轴
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) /
封装形式 LGA4(2×1.5×0.73)
交付周期 In stock
产品型号 TMR2105
兼容型号
敏度(mV/V/Oe) 0.3
电阻(kΩ) 60
磁滞(Oe) 1.5

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