MDT 多维科技 TMR2105 大动态范围TMR线性传感器
多维科技 大动态范围TMR线性传感器 TMR2105
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TMR2105
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简介
TMR2105采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2105性能优越,采用LGA4(2mm×1.5mm×0.73mm)封装形式。
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)大动态范围可达1000 Oe;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性
应用
(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)角度传感器;(4)位置传感器
TMR2105 大动态范围TMR线性传感器技术参数
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更多规格 | ||
磁阻结构 | 全桥 | |
供电电压 | 0~7 V | |
饱和场(Oe) | ±1000 | |
敏感方向 | X轴 | |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | / | |
封装形式 | LGA4(2×1.5×0.73) | |
交付周期 | In stock | |
产品型号 | TMR2105 | |
兼容型号 | — | |
敏度(mV/V/Oe) | 0.3 | |
电阻(kΩ) | 60 | |
磁滞(Oe) | 1.5 |
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