MDT 多维科技 TMR2009 TMR线性传感器

多维科技TMR线性传感器 TMR2009

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简介

TMR2009采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传敏方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出并且该输出具有良好的温度稳定性。 TMR2009性能优越,采用SOT23-5(3mm×3mm×1.45mm)封装形式 。

应用

(1)磁力计;

(2)电流传感器;

(3)角度传感器;

(4)位置传感器

特性

(1)隧道磁电阻(TMR)技术;

(2)高灵敏度;

(3)宽动态范围;

(4)低功耗;

(5)优越的温度稳定性

TMR2009 TMR线性传感器技术参数

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电阻(kΩ) 10,60
饱和场(Oe) ±200
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) /
封装形式 SOT23-5
产品型号 TMR2009
磁阻结构 全桥
供电电压 0~7 V
磁滞(Oe) 1.2
交付周期 In stock
兼容型号
敏度(mV/V/Oe) 0.3
敏感方向 X轴

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