ROHM Semiconductor 罗姆 KXTE9-1050 加速度传感器

KXTE9的高级方向检测功能可报告横向、纵向、面朝上和面朝下条件的变化。这种复杂的嵌入式算法消除了微处理器对连续数据采集和复杂计算的需求。通过一些可调参数，屏幕旋转算法可以优化，以获得直观的用户体验。除了方位检测外，KXTE9还具有活动监控功能。此功能报告设备运动状态的更改，包括移动（活动）或不移动（非活动）。KXTE9是一款高度可制造的产品，在各种使用条件下都具有一致的产品性能，在1.8V到3.6V DC的电源电压下工作。这些高性能硅微机械线性加速度计和倾角计由一个传感器元件和一个封装在3x3x0.9mm、10针、LGA封装中的ASIC组成。传感器元件由单晶硅制成，采用专有的深度反应离子刻蚀（DRIE）工艺，并由硅片级的密封硅帽保护其免受环境影响。传感器元件根据差动电容原理工作。加速度引起硅结构的位移，导致电容的变化。ASIC使用标准CMOS制造工艺，检测电容的变化并将其转换为与加速度成比例的模拟输出电压。传感元件设计利用共模对消来减少工艺变化和环境应力引起的误差。电压由车载A/D转换器数字化，并通过内部集成电路（I2C）接入。不建议用于新设计。