特性
- Low magnetic field- induced errors
- 温度范围为100 mK至420 K（取决于型号）
- 低温下灵敏度高，在宽范围内有良好的灵敏度
- 优异的抗电离辐射性能
- 具有快速特性热响应时间的裸模低温温度传感器:4.2 k时1.5 ms, 77 k时50 ms
- 多种型号可满足您的测温需求
- 极好的稳定性
- 可选非磁性封装(aa、bc、bg、br)
- 多种包装选择
- 温度范围为100 mk至420 k（取决于型号）
- 提供非磁性包装选项（AA、BC、BG、BR）
Cernox®薄膜电阻低温传感器比同类的大块或厚膜电阻传感器具有显著优势。这些薄膜传感器的较小封装尺寸使其在更广泛的实验安装方案中非常有用，而且它们也可以芯片形式提供。它们很容易安装在专为出色的热传递而设计的封装中，产生的特征热响应时间比需要无应变安装的散装设备快得多。此外，在反复的热循环和长时间暴露于电离辐射下，它们已被证明非常稳定。
Cernox® RTD 元件技术参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 特 性 | ||
| 传感器技术 | Thin Film | |
| 更多规格 | ||
| 产品类别 | Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
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Cernox® RTD 元件资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| lstc_cernox_l | 428.74 KB | 下载 |
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