核用锆合金管氧化过程中光谱发射率特性研究
张凯,桂康,叶林,刘若语
华中科技大学
2024-10-13
发射率在锆合金管非接触测温的准确性和失水事故情况下的传热分析上具有重要意义。本文采集了SZA4、SZA6和ZIRLO 3种锆合金在400,500,600 ℃下氧化100 min过程中4~12 μm内的光谱发射率数据,分析了温度、氧化膜厚度和合金组分对材料光谱发射率特性的影响规律。结果表明,3 种锆合金在氧化过程中发射率变化趋势基本相同,但组分差异导致在发射率的数值和振荡特性上略有差别。通过建立薄膜干涉模型,解释了光谱发射率在波长方向上的振荡现象,并结合振荡极值与干涉效应原理计算了合金表面氧化膜厚度,在0. 6~8 μm范围内测量精度达到±0. 3 μm。
  • 光谱发射率
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年份: 2024年
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内容目录
  • 引言

  • 1、试验设置

  • 2、测量原理

  • 3、结果与分析

    • 3.1 锆合金管发射率的光谱特性

    • 3.2 氧化过程中的发射率波动

    • 3.3 锆合金管氧化过程分

    • 3.4 氧化薄膜干涉效应

  • 4、不确定度分析

  • 5、结论

核心点推荐
  • 锆合金;光谱发射率;氧化膜;干涉效应