针对ＭＥＭＳ谐振器真空封装更高的要求，将盖帽硅片、器件硅片（Ｓｉ）和玻璃衬底通过二次Ｓｉ—玻璃（ＤＳＯＧ）阳极键合工艺，实现了ＭＥＭＳ谐振器加工的同时，完成ＭＥＭＳ谐振器的６ ｉｎ圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数，第二次键合温度由第一次键合温度３５０ ℃调整到３８０ ℃ ，键合压力分别为８００ Ｎ（第二次键合）和６００ Ｎ（第一次键合）；优化第二次键合封装密封环的键合面积宽度为７００ μｍ；达到良好的ＭＥＭＳ谐振器封装效果，器件的泄漏速率为３． ８５ ×１０ －９ Ｐａ·ｍ３ ／ ｓ。该研究可以有效降低加工成本和工艺难度、提高器件可靠性，满足了ＭＥＭＳ器件对封装密封性的要求，后续可广泛应用到基于ＤＳＯＧ的ＭＥＭＳ谐振器封装工艺中，具有良好的应用前景