Gemssensors 压力传感器美国GEMS捷迈压力传感器简介
Gems压力传感器提供卓越的性价比优良的重复性、可靠性 ▲bar) bar 至 689 psi(-1 量程范围真空至 10000 ▲多种传感技术 : ▲● 化学气相沉积● 溅射薄膜● 电容● MEMS
Gems 变送器是高性能和长期可靠性应用场合的理想之选,其测量
范围从真空至 10000 psi(-1 bar 至 689 bar),能够提供最丰富的工业选
型和最佳的技术方案。其中,Gems CVD 型传感器是大批量使用场合的
理想选择 ;溅射薄膜型传感器则是目前市场上精度最高的压力传感器。
典型应用
● 工程机械 —— 液压系统和力矩检测
● 石油 —— 井口设备,控制盘、防喷器
● 天然气 —— 加气站设备、NGV车辆、燃气发电机
● 半导体工艺 —— 晶片生产
● 发电厂 —— 管道蒸汽压力
● 制冷 —— 压缩机及润滑油压力设备
● 机器人 —— 工厂自动化设备
● 测试与测量 —— 测功机、医疗仪器、风道
● 气压计 —— 测高仪、气象站
● HVAC —— 压缩机、过滤监测、能耗管理
● 运输 —— 制动、压缩机、升降设备、空调
Psibar® CVD 型压力变送器
化学气相沉积工艺将多晶硅层以分子级键合于不锈钢薄膜片上,从而保证传
感器出色的长期稳定性。批量半导体化的生产方式以合理的价格提供性能卓
越的多晶硅应变电桥,使Gems压力变送器在OEM客户的应用中备受青睐。
溅射薄膜型压力变送器
溅射薄膜沉积工艺造就了变送器在非线性、磁滞和重复性方面的最佳性能。
其精度高达0.08% FS,年长期漂移量低于0.06%FS,Gems 溅射薄膜型变
送器适用于多种关键设备,是压力感测行业的“宝石”。
电容型压力变送器
Gems 生产针对OEM及特殊应用的电容型压力传感器。根据检测两个表面
之间的电容变化,Gems 变送器可检测极低的压力和真空度。结构坚固使
变送器适用于各种不同应用场合。另外,该类型变送器采用先进的ASIC芯
片,价格和性能极具竞争力。
MEMS 型压力变送器
该类型变送器采用硅微机电感测 (MEMS) 膜片检测压力变化。硅膜片由充
油的316不锈钢隔离保护,防止硅膜片与过程介质接触;这些膜片连续对工
艺流体压力产生感测。紧凑的MEMS传感器使用成熟的半导体生产技术,具
有高过压、非线性、耐热冲击以及高稳定性等特点。
美国GEMS捷迈1200/1600 系列 OEM 压力变送器
美国GEMS捷迈2200/2600 系列通用工业压力变送器
美国GEMS捷迈3100/3200 系列紧凑型 OEM 压力变送器
美国GEMS捷迈3500 系列紧凑型低压 OEM 压力变送器
美国GEMS捷迈5000 系列电容型压力变送器
美国GEMS捷迈2800 系列高性能压力变送器
美国GEMS捷迈4000 系列高性能高稳定性压力变送器
美国GEMS捷迈4700 高性能高稳定性压力变送器 , 带 5:1 可调
美国GEMS捷迈22CS/26CS 本质安全型(CSA)压力变送器
美国GEMS捷迈22IC/26IC 本质安全型 ( ATEX ) 压力变送器
美国GEMS捷迈31IS/32IS 本质安全型 ( ATEX ) 压力变送器
美国GEMS捷迈31CS/32CS 本质安全型(CSA)压力变送器
美国GEMS捷迈31EP/EA, 32EP/EA 隔爆型(CSA)压力变送器
美国GEMS捷迈3800 系列压力变送器
美国GEMS捷迈3820 系列压力变送器
美国GEMS捷迈9000 系列 Canbus 数字输出压力变送器
美国GEMS捷迈9500/9600 高性能投式压力变送器
美国GEMS捷迈3160氢气压力传感器
美国GEMS捷迈3560压力传感器
分类 | 压力范围 | 精度 (%FS) | 长期 漂移 (%FS/ 年 ) | 零点满 程允差 (%FS) | 工作 温度 | 比例 | 毫伏 | 电压 | 电流 | 数字 | 表压 | 复合压 | 绝压 | 投入式 | 本安防爆 | 隔爆 | 技术 类型 | 系列 |
通用型 | Vac - 400 bar Vac - 6000 psi | 0.50% | 0.20% | 1.00% | -40℃ - 125℃ | √ | √ | √ | √ | 压电阻 (CVD) | 1200/1600 | |||||||
Vac - 400 bar Vac - 6000 psi | 0.25% 0.15% | 0.20% | 1.00% | -40℃ - 125℃ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 压电阻 (CVD) | 2200/2600 | ||||||
0 - 16 bar 0 - 250 psi | 0.25% | 0.20% | 0.50% | -40℃ - 100℃ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | MEMS | 3500 | ||||||
0 - 2200 bar 0 - 30000 psi | 0.50% | 0.20% | 1.00% | -40℃ - 125℃ | √ | √ | √ | √ | ( 溅射薄 压电阻 膜 ) | 3100/3200 | ||||||||
10-15 in. wc 25-350 mbar | 0.20% | 0.25% | 1.00% | -40℃ - 100℃ | √ | √ | √ | √ | √ | 电容 | 5000 | |||||||
高精度 | 0.5 - 400 bar | 0.10% | 0.20% | 0.10% | -40℃ - 125℃ | √ | √ | √ | √ | 压电阻 (CVD) | 2800 | |||||||
1 - 690 bar 15 - 10000 psi | 0.08% | 0.06% | ±1mV | -30℃ - 85℃ | √ | √ | √ | √ | ( 溅射薄 压电阻 膜 ) | 4000 | ||||||||
1 - 690 bar 10 - 10000 psi | 0.10% | 0.10% | 0.10% | -30℃ - 85℃ | √ | √ | √ | √ | √ | ( 溅射薄 压电阻 膜 ) | 4700 | |||||||
防爆型 | 0.5 - 400 bar 7.5 - 6000 psi | 0.25% | 0.20% | 1.00% | -40℃ - 125℃ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 压电阻 (CVD) | 22CS/26CS | |||||
Vac - 400 bar Vac - 6000 psi | 0.25% | 0.20% | 1.00% | -40℃ - 125℃ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 压电阻 (CVD) | 22IC/26IC | ||||||
0 - 2200 bar 0 - 30000 psi | 0.25% | 0.20% | 0.50% | -40℃ - 80℃ | √ | √ | √ | √ | √ | ( 溅射薄 压电阻 膜 ) | 31CS/32CS | |||||||
0 - 2200 bar 0 - 30000 psi | 0.25% | 0.20% | 0.50% | -40℃ - 80℃ | √ | √ | √ | √ | √ | ( 溅射薄 压电阻 膜 ) | 31IS/32IS | |||||||
0 - 1000 bar 0 - 15000 psi | 0.25% | 0.20% | 0.50% | -40℃ - 95℃ | √ | √ | √ | √ | √ | ( 溅射薄 压电阻 膜 ) | 31EP/32EP | |||||||
0 - 1000 bar | 0.25% | 0.25% | 0.25% | 0.25% | √ | √ | √ | √ | 压电阻 ( 溅射薄 膜 ) | 3800/3820 | ||||||||
CANBUS | 0-690bar | 0.25% | 0.50% | 0.50% | -40℃ - 80℃ | √ CAN Open | √ | √ | √ | 压电阻 ( 溅射薄 膜 ) | 9000 | |||||||
高性能 | 0 - 100 mWG | 0.10% | 0.05% | T.E.B 0.2% | -40℃ - 85℃ | √ | √ SDI -12 | √ | √ | √ | 压电阻 ( 溅射薄 膜 ) | 9500/9600 |
-
收藏
-
2赞同
热议话题 换一换
-
传感器专家网
BOE(京东方)亮相世界显示产业创新发展大会 以创新科技全面引领行业风向标
45人参与112282阅读 -
中国传感器产业
大禹电子:广州市内河水位监测新篇章,科技助力,防洪无忧
89人参与29739阅读 -
传感线缆
测力传感器专用线缆(微型测力/多维力)
2人参与18722阅读 -
压力传感器
AES算法特点简述
107人参与18701阅读 -
国产替代
DES算法特点简述
94人参与17172阅读
您需要登录才可以回复登录|注册