无锡尚积半导体科技有限公司 是一家专业研发、生产半导体国产自研设备的厂商，主营设备包括金属溅射沉积(PVD)，加强型等离子化学气相沉积(PECVD)，等离子干法刻蚀(ETCH)三个领域，服务于为全球的功率器件(Power Device)，微机电系统(MEMS)、先进封装(Advanced Packaging)、化合物半导体(III-V)、射频(RF)、集成电路(IC)客户。设备具备优异的重复性和稳定性、低故障率、长使用寿命、易操作维修。得到客户的广泛认可。
尚积半导体的氧化钒(VOx) 薄膜沉积，RF领域薄膜电阻关键工艺如氮化钽(TaN)等薄膜沉积，TC-SAW SiO2薄膜沉积，高真空吸气薄膜(Getter)沉积，技术参数均超越进口设备，在客户端已经量产，市占率遥遥领先。
在功率器件市场，尚积半导体正面Hot Al设备填孔平坦化能力优异，深宽比做到3:1，超越进口设备；背面金属溅射BSM性能稳定，产能是进口设备近两倍。特别是在SiC领域，市占率遥遥领先。
尚积半导体在IC领域积累了二十余年的丰富经验，在高深宽比填孔、均匀性优化、应力控制、薄膜的多样性及复杂性等多个技术领域有很深的造诣。
尚积半导体的PECVD和ETCH设备在MEMS、RF、Power等领域可以替代进口设备，并提供更优的工艺解决方案。
企业文化
价值观 尚积——尚德务实，积极进取!
愿景 成为世界一流的半导体真空设备及先进工艺的整合者。
使命 专注于半导体细分领域的核心装备和关键工艺解决方案国产替代，并积极寻找并布局全新技术只做技术领导者。
发展历程
2008年，团队进入MEMS领域,开发出氧化钒薄膜溅射，打破国外技术垄断，市占率遥遥领先
2012年，团队开发出吸气薄膜溅射,打破国外技术垄断,成为该工艺国内的国产备供应商，市占率遥遥领先.
2019年，团队进入功率器件领域,开发出Hot AI填孔工艺金属薄膜溅射,成为该工艺国内第一家国产设备供应商,市占率遥遥领先.
2020年，团队开发出SiC背面金属薄膜溅射BSM，成为该工艺国内第一家国产设备供应商2021年,团队开发出SI背面金属薄膜溅射2021年,，团队开发出Si背面金属薄膜溅射,成为该工艺国内少有的国产设备供应商，性能优于国内友商.
2020年，团队开发出SiC背面金属薄膜溅射BSM，成为该工艺国内第一家国产设备供应商
2021年，团队开发出RF领域的TaN Lift Off薄膜溅射，成为该工艺国内少有的国产设备供应商
2022年，团队开发出滤波器TC-SAW领域的HD SiO2薄膜溅射,成为该工艺国内少有的国产设备供应商
2024年,团队开发出300MMPVD和CVD
核心团队
尚积半导体自主培养核心团队平均从业年资超过20年，长期深耕半导体设备行业，有海内外工作背景，前瞻的国际视野及及设备制造的产业链资源。
涉及业务
PVD设备，PECVD设备，Etch设备，ICPCVD设备
