润新微电子(大连)有限公司 是华润微电子旗下专注第三代半导体材料和电子元器件技术开发及产品应用的半导体高新技术企业。前身大连芯冠科技有限公司，由海外归国团队2016年3月17日创立于大连高新区。公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式，主要从事硅基氮化镓外延材料及电子元器件的研发、设计、生产和销售，产品主要应用于三电：电源、电机、电池，覆盖电源管理、太阳能逆变器、新能源汽车及高端电机驱动等科技产业。
公司于2019年3月份发布了国内第一款650伏硅基氮化镓功率器件产品，性能达到国际领先水平。在射频领域，产品定位为10GHz以下的射频通讯和射频能量市场。
润新微电子致力于推动我国第三代半导体产业发展，通过技术创新为业界带来高性能、高可靠性的硅基氮化镓外延材料与器件产品以及应用解决方案，助力5G通讯、新能源汽车、高端装备等战略产业飞速发展。
发展历程
2024 ......
2023 ......
2022 10月：规模化量产；6月：规模化产线技术转移；5月：引入华润微电子合作伙伴
2021 10月：进入工业伺服电机及电动车市场；6月：在制千万级订单
2020 9月：进入消费类电子市场
2019 12月：完成构建器件产品体系；3月：通过1000小时HTRB测试；1月：ISO9001认证
2018 12月：第二代650V器件出样；11月：国家级高新技术企业
2017 12月：第一代650V器件出样；9月：二期器件厂房改建；4月：外延材料投产
2016 11月：首台MOCVD设备安装调试；4月：一期外延厂房改建；3月：公司成立
主要产品
氮化镓 (GaN) 外延片
氮化镓 (GaN) 外延片
控制生长条件实现优异的二维电子气
利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏电流
原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能，提高器件可靠性
控制生长条件实现的高均匀性和重复性
氮化镓 (GaN) 功率器件
技术成熟度高
栅压安全区间大
类MOS，应用简单
易实现市场化
氮化镓 (GaN) 器件应用
与硅驱动方案兼容
更高的电压，更好的导电能力
更小的体积，更好的温度控制
更高的效率，更低的能耗
抗辐照等特殊应用
氮化镓 (GaN) 功率器件
氮化镓 (GaN) 功率器件
润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！
技术成熟度高
栅压安全区间大
类MOS，应用简单
易实现市场化
高效率；可靠；服务
氮化镓 (GaN) 器件应用
氮化镓（GaN）器件应用
润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！
与硅驱动方案兼容
更高的电压，更好的导电能力
更小的体积，更好的温度控制
更高的效率，更低的能耗
抗辐照等特殊应用
高效率；温度控制；小尺寸；轻巧
Cascode结构特点
具有与MOSFET相同的栅极额定电压，可以使用传统MOSFET驱动器
抗扰性强，不需要过多注意避免栅极过冲
关断不需要负压
消费类电子
GaN功率器件PD充电器特点
GaN功率管开关损耗小，整机效率高
GaN驱动频率高，整机体积减少，功率密度提高
工业电子
无整流桥，元件个数更小，线路简单，系统成本至少下降15%
利用氮化镓器件超低的反向恢复特性，实现转换效率由96%提升至99%
应用场景：数据中心电源，5G通信电源，高端电源，伺服电机等
汽车电子
打造自动驾驶汽车的未来，提高驾驶的安全性
应用场景：车载信息娱乐系统、汽车电机、自主导航光检测和测距（激光雷达）
技术优势
氮化镓功率器件的特点和优势
特点和优势
润新微电子氮化镓器件的驱动兼容传统的MOS驱动IC芯片，无需特殊的驱动芯片；驱动网络简单，只需配合栅极电阻调节开关速度，串联磁珠抑制EMI干扰。
兼容标准MOS驱动、应用简单
润新微电子氮化镓器件的驱动兼容传统的MOS驱动IC芯片，无需特殊的驱动芯片；驱动网络简单，只需配合栅极电阻调节开关速度，串联磁珠抑制EMI干扰。
目前市面上的p-GaN增强型氮化镓器件依赖负压驱动，甚至依赖于专用的电流型驱动IC芯片，增加了电力电子系统的复杂程度。
高阈值电压，抗干扰能力强
润新微电子氮化镓功率器件的阈值电压可定制在4伏左右，与传统的高压超结MOS管的阈值电压一致，栅驱动抗干扰能力更强，避免器件在开关过程中因振铃引起的误导通而炸管。市面上的p-GaN增强型氮化镓器件阈值电压通常在1.2伏左右，需要负压驱动才能维持一定的抗干扰能力，除了增加系统的复杂程度外还额外增加了成本。
高栅压安全工作区间
润新微电子氮化镓功率器件最大栅压为±20伏，与硅MOS管一致，保证了功率开关管在导通转态下电阻最小，且器件栅压有足够的裕量来应对开关过程中的电压过冲等不利因素，避免造成对器件的潜在损伤和失效。以10伏的栅驱动电压为例，栅压的安全工作区间距离上限20伏仍有10伏。而p-GaN增强型氮化镓器件所能承受的最大静态栅压通常只有6伏，超过此电压会造成器件损伤甚至失效；在实际应用中考虑到栅压过冲造成的影响，通常会在电路中增加二极管将栅压钳制在3伏，造成器件无法完全导通，从而影响整机效率。
高击穿电压，高可靠性
润新微电子氮化镓功率器件没有pn结，不具备类似于硅器件的雪崩击穿能力，通常在额定电压上留足耐压裕量。润新微电子氮化镓功率器件在常温和高温下的抗击穿电压分别大于1500伏和1200伏，比同类型产品1000伏左右的耐压裕量大很多，意味着更高的安全工作区间。润新微电子氮化镓功率器件的批量HTRB验证结果达到5000小时无失效；通过1000伏以上的加速老化测试反推400伏下的器件寿命大于百万小时；在Boost硬开关电路中维持壳温150℃ HTOL运行寿命达一万小时无故障、且效率稳定。
低反向导通压降
润新微电子氮化镓功率器件的反向导通压降为2.2-2.6伏，而p-GaN增强型器件的反向导通压降等于栅驱动负压绝对值加阈值电压，通常在6-9伏之间。因此，润新微电子氮化镓功率器件在第三象限导通时的损耗为p-GaN增强型器件的1/3-1/5，优势非常明显。
荣誉资质
