中天弘宇集成电路有限责任公司（简称：中天弘宇）成立于2018年，总部位于上海浦东新区张江高科技园区内。中天弘宇专注于快闪存储器（Flash Memory）的研发、应用和市场推广领域。
中天弘宇以国际首创、国内自主原创的“二次电子倍增注入浮栅”原理为基础，以自主、原创、可控的知识产权专利发明为契机，实现了中国存储芯片领域原创专利零的突破，并进一步拓展应用领域及国际市场，协同EDA工具、应用设计、制造、封装、测试一体化发展，为全球数字信息化浪潮提供优质的存储及存算一体化解决方案。
中天弘宇研发成功的新型快闪存储器具有以下突出的特性和前景：
完整自主知识产权体系；先进高效闪存研发成果；创新存算一体解决方案；关键环节配合协同发展
中天弘宇充分运用“二次电子倍增注入浮栅” 的物理现象，并利用其进行了创新结构设计，初步构建了拥有国内、国际完整自主知识产权专利的系列新型高性能快闪存储器产品，实现了中国集成电路存储器领域底层技术零的突破，“在非易失存储领域属国际首创技术”。该项发明成果已在中、日、美、韩和中国台湾地区申请了成体系的原创性发明专利，其中多项核心专利已获批，专利体系化建设在不断完善之中。
存储底层技术突破及创新优势
中天弘宇运用国际首创、国内自主原创的“二次电子倍增注入浮栅”的物理原理，在不改变原材料构成和基本工艺实现的条件下，对标传统的闪存系列产品，用自主原创的发明成果构造了全新的存储器底层技术体系，形成新型高性能存储器系列产品，属于自主、原创、可控的先进存储技术。中天弘宇创造性地对闪存存储进行了重构，突破了20多年来阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈，使得其在同样的工艺条件下，可以做到大容量、小面积、低功耗，且有效的解决大规模数据存储、运行一体化的技术性难题，为人工智能、AI、新型FPGA等发展，提供可靠、高效的存储及存算一体技术解决方案。
产品发展规划
中天弘宇完整地规划了独立式系列产品，将按应用、规划、分步骤地进行产业化推广。独立式存储产品是基于我们的独创原理设计的，完全具有现有NOR Flash功能的存储器，且具有低功耗和大容量优势。在同等工艺技术条件下实现量产，产品具有明显的性价比优势；
系列产品持续开发中……
发展历程
2019年12月，我们存储技术加快了产业化推进的步伐。存储技术在华虹宏力完成了两次流片工作，并在工信部所属的“中国电子技术标准化研究院”进行了第三方检测，主要性能指标全面超越国内、国际同类技术产品，具有明显优势。
2020年1月，由中国电子学会主办的专家鉴定会在北京“中国科技会堂”举行，鉴定意见评价我们的发明成果为：“在非易失存储领域属国际首创技术”。
2020年11月，我们的存储技术在90BCD工艺线上开始开展设计、流片和验证工作。
2021年8月，我们的闪存技术对外发布。
企业文化
核心价值观：创新创造 坚守信念 合作共赢
企业使命：为全球数字信息化浪潮提供优质的存储及存算一体解决方案
企业愿景：在集成电路领域不断探索和创新，制造出我们的“中国芯”
独创技术
二次电子倍增注入浮栅式”存储器技术
中天弘宇运用国际首创、国内自主原创的“二次电子倍增注入浮栅”的物理原理，创新发明了“二次电子倍增注入浮栅式”存储器技术，是一种用新的物理原理构造的电子存储器技术，继“热电子注入”、“隧穿注入”后第三种0和1形成机制，是具有底层技术的发现和发明。
在不改变原材料构成、工艺实现的条件下，对标传统的闪存系列产品，用自主原创的发明成果构造了全新的存储器底层技术体系，形成新型高性能存储器系列产品，属于自主、原创、可控的先进存储技术，使我国可以彻底摆脱对国外知识产权的依赖，走出一条集成电路存储器发展的新路子。
中天弘宇创造性地对闪存存储进行了重构，突破了20多年来阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈，使得其在同样的工艺条件下，可以做到大容量、小面积、低功耗，且有效的解决大规模数据存储、运行一体化的世界性难题。
核心竞争力：
全球首创的非易失闪存技术；存储芯片领域原创发明专利；解决了短沟道穿通的世界性难题；独特的PGM原理及器件结构设计；小面积、降成本、低功耗、大容量；拓展新的应用领域和应用场景
专利
