浙江萃锦半导体有限公司 是浙江省高新技术企业，以Smart IDM模式，专注于新一代功率半导体的芯片设计、器件研发、生产、销售和应用服务。公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 SJ MOS、IGBT分立器件和模块、新型合封功率芯片和板级系统方案等。
公司拥有成熟量产的 SiC MOSFET 和 IGBT 超薄晶圆背面特色工艺，性能和参数对标国际产品；在芯片制造价值链上，可以提供“一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案，对标国际领先技术水平，定制背面金属及减薄工艺，保证产品高性能和高性价比，提高产品竞争力。
公司在宁波和上海设立总部，负责芯片设计和研发，在上海、深圳、西安等地建有应用和销售中心，制造基地位于宁波慈溪高新区，42,000平米功率芯片制造厂房正在筹建中。
主要产品
SiC MOSFET
产品优势
更高的系统效率
较小的Eoss损耗能量，极低的开关损耗，芯片面积小；
开关速度快，开关噪声低，更高频率适用性；
抗雪崩能力强，可以承受更大的浪涌电流；
芯片可靠性高，参数一致性好，较高的稳定性；
具有超快恢复性能的体二极管；
较低的FOM；
100%通过晶圆级老化测试；
SiC MOSFET提供了更好的设计灵活性，可实现高系统效率、更高的开关频率，从而以更高的可靠性减小系统尺寸。
SIC Diode
产品优势
正向电压低；
高浪涌电流能力；
无反向恢复电流；
175°C最高结温；
开关行为与温度无关；
萃锦的碳化硅MPS二极管结合了Schottky二极管PiN二极管的优良特性，实现了低导通压降、低关断漏电流和出色的抗浪涌能力，在低频和高频应用中都具有较低的VF和QC，涵盖650V、1200V和1700VSiC二极管，适用于多种需要卓越效率和更高系统鲁棒性的应用，为各种功率转换系统（如消费、工业和汽车应用）提供解决方案。
SJ MOSFET
产品特性：
卓越的鲁棒性；
良好的开关特性适用于硬开关和软开关；
显著降低开关和导通损耗；
产品优势：
适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）；
在PFC和PWM级的应用中，低振铃趋势为易用性和快速设计方面提供了便利性；
由于开关和传导损耗低，简化了热管理；
适用于各种应用和功率范围；
萃锦的SJ MOS，这一新型超级结为功率电路设计打开了一扇高效易用的大门，使我们能够为AC/DC和DC/DC应用（如PFC和软开关）提供经济高效、可靠和稳健的解决方案。SJ MOS的击穿电压范围从600 V到650 V，可提供多种封装选项。
HV Planar MOSFET
产品优势
器件一致性好，器件参数较为稳定;
器件抗冲击能力强，适合电机控制等场台；
器件雪崩耐量高，适合恶劣应用场景；
器件产品系列较为完善；
EMI兼容性好；
萃锦高压平面MOSFET系列产品，采用业界优良的平面技术设计制造而成，涵盖500V-900V电压范围系列产品
IGBT Module
产品优势
强大的功率控制能力，适用于各种功率应用场合;
低电感设计；
开关损耗低；
优良的可靠性和稳定性；
出色的短路耐受性；
紧凑设计，灵活串并联应用；
萃锦的IGBT 模块采用不同的产品系列，配置多种电流、电压等级，具有斩波器、逆变、整流、六单元、三电平等拓扑结构。适用于光伏逆变器、电机伺服驱动、UPS 和其他高频应用，降低了系统的复杂性和出错率，提高了系统的可靠性。
Wafer
基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，萃锦半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。
应用领域
充电桩
碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，其在电动汽车行业中的应用前景广阔。SiC器件在功率密度、效率、温度稳定性和开关速度等方面相较于传统硅基半导体具有显著优势，这些优势对于电动汽车行业的发展至关重要。
首先，SiC器件具有高导热性，这意味着它们能够更有效地传导和散发热量，在电动汽车中，电力电子器件会产生大量热量，而SiC的高导热性有助于保持器件在高温环境下的性能稳定，从而提高电动汽车的可靠性。
其次，SiC的击穿电压和导通电阻相较于硅有显著优势。这意味着SiC器件能够处理更高的电压和电流，同时降低功率损耗，这不仅有助于提高电动汽车的能源效率，还能减少能源浪费，从而降低碳排放。
此外，SiC器件的开关速度快，开关损耗低。这使得电动汽车中的电力转换过程更加高效，进一步减少能量浪费，提高电动汽车的行驶里程。
在电动汽车的具体应用方面，SiC器件广泛应用于逆变器、充电器等关键组件。逆变器是电动汽车动力系统中的核心组件，负责将电池的直流电转换为驱动电机所需的交流电。采用SiC逆变器可以显著提高功率密度和效率，减少体积和重量，从而减轻电动汽车的整体负担。充电器方面，SiC器件的应用可以提高充电速度和效率，缩短充电时间，提升用户体验。随着技术的不断进步和成本的降低，预计SiC材料将在电动汽车行业中得到更广泛的应用，其高功率密度、效率、温度稳定性和开关速度等优势，将有助于推动电动汽车行业的发展，减少碳排放，为环保事业做出贡献。
总之，碳化硅（SiC）在电动汽车行业中具有巨大的应用潜力。通过提高器件的导热性、击穿电压和导通电阻，以及其对环保的潜在作用，SiC为电动汽车行业的发展提供了有力支持。随着技术的不断进步，预计SiC材料将在电动汽车行业中得到更广泛的应用，为未来的可持续发展做出重要贡献。
萃锦半导体SiC MOSFET优势
较低的FOM；功率密度增加；减少冷却工作量；更高系统可靠性，稳定性；快速的体二极管；强大的耐雪崩能力；正向电压低；更高频率适用性；更高的系统效率；较小的Eoss损耗能量；极低的开关损耗；开关速度快，芯片面积小，开关噪声小；产品随着温度上升，Rds(on)幅度变化不大；抗雪崩能力强，可以承受更大的浪涌电流；高品质衬底，高质量的栅氧生长技术
品质保证
为确保我们的产品品质可靠性，我们的产品100%经过晶圆级老化。先进的SiC MOSFET技术结合供应链垂直整合战略，确保我们的产品性能、成本结构和供货能力具有市场竟争力。
电动汽车
碳化硅器件助推充电桩革命，降本增效实现电动车快速充电
汽车电动化趋势目前已经是一个全球共识，由此带来了充电桩行业的爆发式增长。同时，碳化硅功率器件作为第三代功率半导体技术，因其耐高压，高开关频率和耐高温等优势在充电桩行业中的大规模应用，也必将是大势所趋。
伴随着海量的市场发展前景，充电模块自身也存在着一些技术挑战：如何在恶劣环境下保证工作的可靠性；如何提升整机效率以减小运营商成本；如何在有限的建设用地面积下提升桩的充电功率；如何提升充电速度以减少车主的充电焦虑等等。要解决这些充电行业中的痛点，越来越多的电力电子工程师开始寻求第三代功率半导体碳化硅解决方案。
为了提升充电模块的功率密度、缩短充电时间并提升电能转换效率，作为国内较早进入碳化硅领域的萃锦半导体，推出了一系列针对充电桩行业的碳化硅解决方案。
产品优势
萃锦半导体SiC MOSFET优势
较低的FOM；功率密度增加；减少冷却工作量；更高系统可靠性，稳定性；快速的体二极管；强大的耐雪崩能力；正向电压低；更高频率适用性；更高的系统效率；较小的Eoss损耗能量；极低的开关损耗；开关速度快，芯片面积小，开关噪声小；产品随着温度上升，Rds(on)幅度变化不大；抗雪崩能力强，可以承受更大的浪涌电流；高品质衬底，高质量的栅氧生长技术
萃锦半导体SiC Diode优势
正向电压低；反向恢复电流较小；175℃最高结温；高浪涌电流能力；反向恢复电流，不受关断速度和结温的影响
光伏；数据中心UPS不间断电源；电能质量管理；风光储能；大功率电源
直流逆变焊机
萃锦开发的 SiC MOSFET 通过优化元胞结构，增强耐雪崩能力。导通损耗小，开关损耗低，开关速度快，满足逆变焊机的响应速度快，高稳定性特点。我司 SiC Diode 反向恢复特性优，正向导通压降值低，损耗小。我司器件在结温175℃时，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，器件效率优，契合逆变焊机高温与高效的应用特性。
电池化成
萃锦开发的 SiC MOSFET 通过优化元胞结构，增强耐雪崩能力，导通损耗小，开关效率优，均衡的栅极电荷比，体二极管特性优，适合高频工作模态，有效减少充电源模块磁性器件体积，能充分满足电池化成系统高精度、高效率和高功率密度的应用要求。
感应加热
萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合感应加热的高频应用环境。我司 SiC Diode 反向恢复性能优，正向导通压降值低，损耗小。在结温175℃时，我司器件阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合感应加热的高温应用特点。
氢燃料空压机
萃锦开发的SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合氢能用空压机高频应用与高功率密度特点。我司器件产品测试严格按照AEC�Q101标准测试，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合高温等严苛工作环境要求。
暖通空调 HVAC
萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，高温条件下，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，契合暖通空调系统的高效节能应用要求，能有效提升HVAC系统的功率密度、能效等级与可靠性。
固态变压器
萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，高温条件下，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，契合固态变压器的高效节能应用要求，能有效提升固态变压器的功率密度、能效等级与可靠性。
LED
萃锦开发的HV Planer MOSFET，主要适用于LED照明、电池充电器等功率较小的场合，萃 锦S J M O S F E T可 为 反 激 类 拓 扑 提 供6 0 0 V ~ 9 0 0 V内 全 阶 段 适 应 的M O S管 ， 还 可 为600V~800V高压类源的反激辅助供电提供高BV的器件。我们还专门为快充市场定制了具有更低的Qg值、更快的开关速度、更小的弥勒平台、更小的Ciss和经过优化的非线性Coss.
固态断路器
萃锦开发的SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合固态断路器低损耗与高功率密度特点。我司器件阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合高温等严苛工作环境要求。
