北京得瑞领新科技有限公司（简称 DERA）是一家技术导向的产品研发企业，其致力于发展计算架构中的底层存储核心技术—半导体存储。得瑞DERA 紧跟国际技术趋势，立足于自研核心 IP 和主控芯片，在遵循主流存储协议的前提下充分发挥性能潜力，提供可与 Tier1级别供应商产品媲美的高品质产品。
DERA 独创的技术和产品架构能够加速数据库、CDN、云计算、超级计算、大数据等典型应用，提高企业与科研机构的 IT 设施整体性能，让数据访问达到机械硬盘技术上百倍、千倍的速度。DERA 现阶段的主要产品是遵循 NVMe 标准协议的企业级 SSD 控制器、Turn-key 方案、以及企业级 SSD 成品。公司在上海长宁区和武汉东湖高新区均设有研发及技术支持机构。
DERA得瑞领新面向全球信息化大数据建设的需求，面向国际信息技术前沿，以创新发展为主题，以产业发展为主线，以体系建设为目标，坚持自主创新，自主研发，掌握存储领域软硬件的核心技术，为全球信息大数据产业及工业信息化的创新发展提供高性能、高可靠、高稳定、低成本、低功耗的SSD产品，带领整个存储产业走向国际化道路，打破国外品牌垄断国内市场的局面，致力于成为世界级存储领域中最可靠、最值得尊敬的存储芯片及方案公司。
发展历程
2015年：6月17日 得瑞DERA 成功
2016年：TAI控制器流片成功
2017年：得瑞领新 更名 紫光得瑞，DERA NVMe SSDD5000 系列量产
2018年：与 A 公司合作开发Open-channel SSDD5437/D5457量产
2019年：第二代 MENG 控制器流片，28nm工艺
2020年：国家高新技术企业，DERA NVMe SSD；D5427/D5447 发布2021年；DERA NVMe SSDD6437/D6457 系列发标
2022年：第三代主控EMEI流片:DERA NVMe SSDD6436& D7436 系列
2023年：国家级专精特新“小巨人”；北京市新技术新产品
得瑞优势
核心技术
DERA 拥有多颗自主研发且成功量产的企业级 NVMe 主控芯片，在保证数据安全性的基础上，保证了与软硬件最完美的匹配度。
团队优势
技术团队拥有硅谷背景，具有十多年存储控制器 IC 设计开发经验，并且还在不断吸纳本领域国内专家和人才加入。
产品研发
DERA企业级主控芯片和固件等核心技术均为自主研发，固件开发团队和 IC 设计团队的紧密配合，保证了软硬件设计完美匹配。
专业测试
DERA 拥有完整的 SSD 测试团队和国际一流的测试环境及设备，成员具有高度的测试素质和丰富的测试经验，负责从研发到量产的全过程测试验证。
技术支持
得瑞领新技术研发团队，能对客户问题做到快速响应以及研发端产品设计层面上的深度支持，能快速定位和解决客户问题。
专利及资质认证
公司所执行的质量标准、质量控制措施、产品质量和服务质量标准，均按照国际、国家及行业权威认证机构标准严格执行。
荣誉资质
核心技术
EMEI 控制器
EMEI 是得瑞领新自主研发的第三代面向数据中心和企业级的 NVMe SSD 控制器，也是得瑞领新首款支持 PCIe 4.0 的企业级主控。
EMEI 在保持得瑞领新产品高性能、高可靠性、大容量的基础上，进一步优化技术架构。通过内置 CPU 的算力增强，并在数据通路上提供更多加速引擎来保证业界领先的数据处理能力。EMEI 采用12nm工艺技术设计，进一步降低芯片面积和功耗。
EMEI 芯片支持所有主流厂商的 NAND 颗粒，并且支持包含 ZNS 在内的 NVMe 2.0 协议，在实现性能隔离技术，提升产品性能的同时使产品拥有良好的设计灵活性。EMEI 芯片集成了得瑞自研的 LDPC 纠错算法，支持端到端数据保护，内置 AES 及国密 SM2/SM3/SM4 算法引擎，为产品提供更好的可靠性和超高的性能。
功能特性
遵循 NVMe 2.0标准，支持 PCle Single Port Gen 4.0x4/ Dual port Gen 4.0x2x2
支持 NVMe 可选命令及厂商定制命令，开发者可通过固件定制实现产品差异化
支持一线厂商主流 NAND 型号，支持 ONFI 4.1 和 TOGGLE 4 接口
支持 512GB-32TB 总原始容量
最大16个 NAND 通道，支持 1.8V/1.2V，1200 MT/s；每通道最多16个 NAND Die
最高性能可实现顺序读 7GB/s、顺序写 5GB/s，4KB 随机读 1.5M IOPS
40bit DDR 控制器，带 ECC 保护，支持 DDR4/DDR3/LPDDR4/LPDDR3，DRAM 最大容量32GB
4KB 码长 LDPC 纠错算法
内部 RAM 均有 ECC 保护，内部数据通道有完整端到端数据保护
支持 AES 硬件加密，支持国密 SM2/SM3/SM4，支持 TRNG
支持 ZNS，并实现性能隔离技术，支持 CMB/PMR 特性
SPI NOR (带 ECC)，及多种通用接口：2路 UART、5路I2C、32GPIO、2路 SPI
ECC和数据完整性保护
1、EMEI 内嵌得瑞自主研发的自适应闪存纠错技术 LDPC 技术，在原有 2K LDPC 的基础上进一步突破，实现了基于4K码长的 LDPC 纠错引擎，大幅提升软解码和硬解码能力。LDPC 解码能力的提升，最大化保障数据可靠性，从而延长产品的寿命。
2、除基础的 ECC 功能外，EMEI 控制器还对内部数据通道提供了完整的保护，包括通过外置 DDR、内置 SRAM 的 ECC 保护，以及完整的数据传输端到端数据保护。除此之外，EMEI还支持用户数据 PI 功能，帮助用户实现从应用到存储介质之间的端到端数据完整性保护。
设计灵活度
EMEI 控制器提供了灵活的设计选项。基于 EMEI 控制器，开发者可以在成本、功耗、性能等几个维度上实现均衡设计，实现产品差异化。
根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。
MENG 控制器
DERA 得瑞领新第二代蒙山“MENG”NVMe SSD 控制器，实现高可靠、高性能和大容量，定位于企业级及数据中心等应用场景。MENG 控制器支持 NVM Express（NVMe）标准协议，及 Open Channel 等定制化协议。芯片内集成多核 CPU，以及灵活的 NAND 管理接口，可以适配当前所有国内外主流厂商的 NAND Flash。MENG 控制器提供双路 DDR 接口，在满足高带宽读写操作的同
功能特性
遵循 NVMe 1.3 标准，支持 PCle Gen3x4
支持 NVMe 可选命令及厂商定制命令，开发者可通过固件定制实现产品差异化
支持一线厂商主流 NAND 型号，支持 ONFI 和 TOGGLE 接口
支持 512GB-16TB 总原始容量
16个 NAND 通道，支持 1.8V/1.2V，533 MT/s；每通道最多16个 NAND Die
最高性能可实现顺序读 3.4 GB/s、顺序写 3.3 GB/s，4KB 随机读 830K IOPS
2KB 码长 LDPC 纠错算法
双通道 40bit DDR 控制器，带 ECC 保护；最大 DRAM 容量 16GB
支持 AES 硬件加密，支持国密 SM2/SM3/SM4
SPI NOR (带 ECC)，及多种通用接口：5路 UART、2路12C、16 GPIO、2路 SPI
内部所有 RAM 均有 ECC 保护，内部数据通道有完整端到端 CRC 保护
ECC和数据完整性保护
1、MENG 内置的 LDPC ECC 引擎提供了强大的错误检测和纠错能力，2KB 码长 LDPC 引擎提供硬数据解码和软数据解码方式，纠错能力大幅提升，保证高可靠性的同时，提升数据保持时间，延长 SSD 使用寿命。每个 NAND 通道均配置专用 ECC 单元，多个通道并发访问时延迟和吞吐量均不受影响。 在基础的 ECC 功能之外，MENG 控制器还对内部的数据通道提供了完整的保护，包括外置 DRAM、内置 SRAM 单元的 ECC 保护，以及完整的数据传输端到端 CRC 保护。
2、考虑到 NAND 单元会有一定概率会出现不可纠正的错误，尤其是随着设备进入寿命后期，这种错误发生的概率将显著提高。为了在这种情况下保护用户数据，并且尽量不影响正常的数据存取性能，MENG 控制器提供了 RAID 硬件计算加速功能。在控制软件的配合下，可以实现基于多个 NAND Die 之间的自适应冗余保护。在这种保护机制下，当某个页面出现不可纠正的错误时，该页面上的有效用户数据可以通过相关联的其他 NAND Die 上的页面数据恢复回来。
设计灵活度
MENG 控制器提供了灵活的设计选项。基于 MENG 控制器，开发者可以在成本、功耗、性能等几个维度上实现均衡设计，实现产品差异化。
根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。
TAI 控制器
随着半导体技术和产业的发展，以 NAND 闪存为代表的非易失性存储（NVM）介质在容量密度方面不断提高，容量成本不断下降，同时还具备随机存取快速响应、聚合吞吐量高等性能优势，基于 NAND 闪存的 SSD 已经成为代替机械磁盘、存储系统活跃数据的理想选项。
TAI 是 DERA 面向企业及数据中心应用领域，立足于数据可靠性保障和闪存性能聚合核心技术设计制造的 NVMe SSD 控制器。TAI 控制器支持多达16个 NAND 通道，支持多个 NAND 厂商的主流器件型号，并提供灵活的配置选择。基于 TAl 控制器，开发者可以构建可靠性和性能均领先业界的企业级 NVMe SSD。
功能特性
遵循 NVMe 1.3 标准，支持 PCle Gen 3x8/×4 8 GT/s
支持 NVMe 可选命令及厂商定制命令，开发者可通过固件定制实现产品差异化
支持一线厂商主流 NAND 型号，支持 ONFI 和 TOGGLE 接口
支持 512GB-16TB 总原始容量
16个 NAND 通道，支持 1.8V/1.2V，533 MT/s；每通道最多16个 NAND Die
最高性能可实现顺序读 5GB/s、顺序写 4GB/s，4KB 随机读 1M IOPS
双通道 40bit DDR 控制器，带 ECC 保护，支持 DDR3L 1333 MT/s；最大 DRAM 容量16GB
支持 AES256 硬件加密
SPI NOR (带 ECC)，及多种通用接口：5路 UART、2路12C、16 GPIO、2路 SPI
内部所有 RAM 均有 ECC 保护，内部数据通道有完整端到端 CRC 保护
ECC和数据完整性保护
1、TAI 内置的 ECC 引擎提供了强大的错误检测和纠错能力，而且提供一定的配置灵活性，可以根据实际需求和限制条件，在多个功能档位之间进行选择。ECC 引擎的最高纠错能力 512Bytes/100bits，其他可用级别为 1KB/40bits、1KB/60bits、1KB/72bits、1KB/80bits、1KB/100bits。每个 NAND 通道均配置专用 ECC 单元，多个通道并发访问时延迟和吞吐量都不受影响。
2、在基础的 ECC 功能之外，TAI 控制器还对内部的数据通道提供了完整的保护，包括外置 DRAM、内置 SRAM 单元的 ECC 保护，以及完整的数据传输端到端 CRC 保护。
3、考虑到 NAND 单元会有一定概率会出现不可纠正的错误，尤其是随着设备进入寿命后期，这种错误发生的概率将显著提高。为了在这种情况下保护用户数据，并且尽量不影响正常的数据存取性能，TAI 提供了 RAID 硬件计算加速功能。在控制软件的配合下，可以实现基于多个 NAND Die 之间的自适应冗余保护。在这种保护机制下，当某个页面出现不可纠正的错误时，该页面上的有效用户数据可以通过相关联的其他 NAND Die 上的页面数据恢复回来。
设计灵活度
TAI 控制器提供了灵活的设计选项。 基于 TAI 控制器，开发者可以在成本、功耗、性能等几个维度上实现均衡设计，实现产品差异化。
根据实际的目标需求和产品定义，开发者可以在 ECC 强度、NAND 通道数及容量、DRAM 通道及容量、DRAM ECC 开关、DRAM 及/或 NAND 接口传输速率等各个选项之间灵活选择，实现优化组合。
