据外媒报道，三星计划在今年6月举行的2024年晶圆OEM论坛上正式公布其1nm工艺计划，计划从2027年至2026年提前1nm量产时间。
据了解，三星电子已于2022年6月在全球首次成功批量生产3nm晶圆，并计划于2024年批量生产其第二代3nm技术。根据三星之前的路线图，2nm SF2 该工艺将于2025年亮相，与 3nm SF3 与工艺相比，同等条件下能效可提高25%，性能可提高12%，芯片面积可减少5%。
报道称，三星对加快1nm工艺量产的信心，或许来自于“Gate-All-Around（GAA）“电流控制技术可显著降低晶体管的漏电流，提高芯片功率效率。