据湖南省三安半导体官方微信报道，三安光电副总经理、湖南省三安半导体董事长林志东受邀参加中法企业家委员会第六次会议闭幕式。会议期间，详细介绍了湖南省三安半导体在SiC（碳化硅）项目中的最新发展。

湖南三安半导体责任有限公司位于湖南湘江新区，2020年落户长沙，总投资160亿元。目前，一期工程已于2021年6月投产，碳化硅年产能已达25万片(6寸)。二期建于2022年7月，总投资80亿元，全部引进国际领先的8寸生产设备和工艺，计划于今年第三季度投产。整个项目达到生产后，年产总额将达到48万片。

作为中国第一个整合SiC全产业链的研发制造项目，该项目的核心是建设具有独立知识产权的第三代半导体全产业链生产基地。主要产品包括SiC、GaN以氮化镓为代表的宽禁带半导体材料涵盖了从衬底材料、外延生长到晶圆制造和包装试验的整个生产过程。