4月初，全球光刻机龙头企业ASML发布了最新一代极紫外线(EUV)Twinscan光刻设备 NXE:3800E，该工具投影透镜具有0.33的数值孔径，旨在满足未来几年尖端技术芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸节点。ASML还计划进一步推出另一代低值孔径(EUV)Twinscan扫描仪 NXE:预计将于2026年左右发布4000F。

据外媒报道，截至2025年上半年，ASML的高数值孔径EUV（High-NA EUV）英特尔收到了所有的设备订单，英特尔在宣布重新进入芯片OEM业务时首先购买了这些设备。由于ASML的高数值孔径EUV设备每年产能约为5至6台，三星等其他大型工厂可能需要2025年下半年才能获得该设备。ASML计划在未来几年提高产能，年产能将增加到20台。

据报道，ASML的高值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必要设备，每台设备的成本超过5000亿韩元（目前约26.47亿元）。NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。行业新闻显示，ASML最先进的高值孔径EUV设备的数值孔径将从0.33提高到0.55，这意味着设备可以绘制更精细的电路图案。

自2017年ASML首款量产EUV光刻机正式推出以来，三星7nm、5nm、3nm工艺，台积电第二代7nm、5nm、大规模生产3nm工艺取决于EUV光刻机，其孔径为0.33。随着三星、台积电和英特尔3nm工艺芯片的大规模生产，这三家先进工艺制造商正在积极投资2nm工艺的研发，以满足未来的高性能计算（HPC）在晶圆OEM市场的竞争中，对先进芯片的需求和优势。

自2021年以来，英特尔提出了IDM2.0战略。目前仍处于高资本支出投资期，各地投资扩产计划相继出台，先进工艺研发投资加快。目前，晶圆OEM部门仍处于亏损阶段。

财务报告显示，去年英特尔晶圆OEM业务的营业亏损比2022年增加了34.6%至70亿美元，同比下降了31.2%至189亿美元。当时，英特尔预计OEM业务的营业亏损将在今年达到峰值，并在2027年左右实现盈亏平衡。今年第一季度，英特尔OEM业务收入44亿美元，同比下降10%，营业亏损25亿美元。

在生产扩张方面，自2023年以来，英特尔已经宣布了在美国、欧洲和以色列建立半导体制造工厂的计划，在地方政府的补贴下，总投资高达1000亿美元。在工艺推广方面，英特尔即将完成“四年五个工艺节点”计划 7，Intel 四、Intel 大规模量产已经实现。这样，英特尔未来可能会获得更多的订单。

三星早就计划获得光刻机了。今年1月，ASML韩国公司总裁Leeee Woo-kyung表示，预计2027年将三星电子和ASML带到合资企业新研发中心的高值孔径 (NA) 极紫外 (EUV) 设备。

据悉，这个新的半导体研究中心是韩国总统尹锡悦去年访问荷兰时成立的半导体联盟的结果。三星电子和荷兰设备公司ASML共同投资1万亿韩元在韩国建立该中心。该设施将成为 ASML 使用三星电子工程师 EUV 先进半导体研发合作场所的设备。该中心建于京畿道华城ASML新园区前，将配备先进的高值孔径EUV光刻设备，可实施亚2纳米工艺。Lee Woo-kyung表示，在ASML韩国华城新园区附近新建了一个场地，将于明年开工建设。计划在竣工时引进[高值孔径]设备，预计最迟将于2027年完成。

此外，据三星官方消息，三星执行董事长李在镕最近(Jay Y. Lee) 位于奥伯科亨的访问 (Oberkochen) 当时，全球光学与光电技术集团总部会见了蔡司总裁兼总裁Karl 为了深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作，Lamprecht等公司高管。

在会议上，双方同意扩大EUV技术与尖端半导体设备研发的合作伙伴关系，以加强OEM和存储芯片领域的业务竞争。公开信息显示，蔡司集团是世界上唯一的极紫外线（EUV）ASMLL光系统供应商 Holding 唯一的NV光学系统供应商。

据悉，三星电子的目标是引领3纳米以下的微制造技术，今年计划采用EUV光刻技术批量生产第六代10纳米DRAM芯片。未来，三星电子将积极寻求2025年2nm芯片商业化，2027年1.4nm芯片商业化。